F11K120
F11K120
Protectifiers
®
– LowV
F
-Rectifier with Overvoltage Protection
Protectifiers
®
– LowV
F
-Gleichrichter mit Überspannungs-Schutz
Version 2013-12-06
Nominal current
Nennstrom
Ø 5.4
±0.1
11 A
120 V
Ø 5.4 x 7.5 [mm]
(~ DO-201)
1.0 g
Stand off voltage
Sperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
62.5
±0.5
Ø 1.2
±0.05
7.5
±0.1
Type
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Low forward losses, high reverse pulse power capability
Niedrige Durchlass-Verluste, hohe Sperr-Belastbarkeit
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings and Charactistics (T
J
= 25°C)
Type
Typ
Stand-off voltage
Sperrspannung
V
WM
[V]
F11K120
120
Max. rev. current
Max. Sperrstrom
at/bei V
WM
I
D
[µA]
5
Grenz- und Kennwerte (T
J
= 25°C)
Breakdown voltage
Abbruch-Spannung
V
BR min
[V]
130
@ I
T
[mA]
5
Forward voltage
Durchlass-Spannung
V
F
[V]
I
F
= 5A
< 0.97
I
F
= 11A
< 1.10
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Total steady state power dissipation
Gesamtverlustleistung im Dauerbetrieb
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Peak pulse power dissipation
Impuls-Verlustleistung
Max. reverse peak pulse current
Max. Impuls-Strom in Sperr-Richtung
10/1000µs pulse
2
)
8/20µs pulse
3
)
T
L
= 50°C
T
A
= 50°C
f > 15 Hz
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
I
FAV
P
tot
I
FRM
I
FSM
P
PPM
I
PPM
i
2
t
T
j
T
j
T
S
11 A
1
)
5W
50 A
1
)
250/280 A
700 W
100 A
200 A
2
s
-50...+175°C
+200°C
-50...+175°C
Rating for fusing, t < 10 ms – Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
2
3
Valid, if leads are kept at T
L
at a distance of 3 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 3 mm Abstand vom Gehäuse auf T
L
gehalten werden
See curve I
PP
= f (t) 10/1000µs – Siehe Kurve I
PP
= f (t) 10/1000µs
See curve I
PP
= f (t) 8/20µs – Siehe Kurve I
PP
= f (t) 8/20µs
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
F11K120
Characteristics
Hot leakage current – Heiß-Sperrstrom
ESD rating according to JESD22-A114 / contact discharge
ESD-Festigkeit gemäß JESD22-A114 / Kontaktentladung
Reverse recovery time
Sperrverzug
T
j
= 100°C
C = 100pF
V
R
= V
WM
R = 1.5kΩ
t
rr
R
thA
R
thL
I
R
Kennwerte
< 100 µA
20 kV
< 350 ns
< 25 K/W
1
)
< 10 K/W
I
F
= 0.5 A through/über
I
R
= 1 A to I
R
= 0.25 A
Thermal resistance junction to ambient air – Wärmewiderst. Sperrschicht – umg. Luft
Thermal resistance junction to leads – Wärmewiderst. Sperrschicht – Anschlussdraht
120
[%]
100
10
3
[A]
10
80
2
T
j
= 125°C
60
10
T
j
= 25°C
40
1
20
I
FAV
0
0
T
C
50
100
150
[°C]
I
F
10
-1
Rated forward current vs. temp. of the case
Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. Des Gehäuses
250a-(7.5a-1,05v)
0.4
V
F
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
t
r
= 10 µs
100
[%]
80
100
[%]
80
t
r
= 8 µs
60
P
PPM
/2
I
PPM
/2
60
P
PPM
/2
I
PPM
/2
40
I
PP
20
P
PP
0
0
40
I
PP
20
P
PP
1
2
3
[ms] 4
0
0
t
P
t
10/1000µs - pulse waveform
10/1000µs - Impulsform
t
P
t
20
40
60
[µs]
8/20µs - pulse waveform
8/20µs - Impulsform
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
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© Diotec Semiconductor AG
2
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