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UGB8DT

产品描述8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小117KB,共2页
制造商DIOTEC
官网地址http://www.diotec.com/
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UGB8DT概述

8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB

UGB8DT规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称DIOTEC
包装说明D2PAK-3/2
Reach Compliance Codecompli
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-50 °C
最大输出电流8 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向电流5 µA
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

UGB8DT相似产品对比

UGB8DT UGB8AT_12 UGB8BT UGB8GT
描述 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB 8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB 8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB 8 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
是否Rohs认证 符合 - 符合 符合
厂商名称 DIOTEC - DIOTEC DIOTEC
包装说明 D2PAK-3/2 - D2PAK-3/2 R-PSSO-G2
Reach Compliance Code compli - compli compli
应用 EFFICIENCY - EFFICIENCY EFFICIENCY
外壳连接 CATHODE - CATHODE CATHODE
配置 SINGLE - SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON - SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1 V - 1 V 1.25 V
JEDEC-95代码 TO-263AB - TO-263AB TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 - R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流 125 A - 125 A 125 A
元件数量 1 - 1 1
相数 1 - 1 1
端子数量 2 - 2 2
最高工作温度 150 °C - 150 °C 150 °C
最低工作温度 -50 °C - -50 °C -50 °C
最大输出电流 8 A - 8 A 8 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压 200 V - 100 V 400 V
最大反向电流 5 µA - 5 µA 5 µA
最大反向恢复时间 0.035 µs - 0.035 µs 0.045 µs
表面贴装 YES - YES YES
端子形式 GULL WING - GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE - SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

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