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2SD1060_2015

产品描述Silicon NPN Power Transistors
文件大小84KB,共4页
制造商Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.
官网地址http://www.jmnic.com/
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2SD1060_2015概述

Silicon NPN Power Transistors

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Product Specification
www.jmnic.com
Silicon NPN Power Transistors
2SD1060
DESCRIPTION
・With
TO-220 package
・Low
collector-emitter saturation voltage
・Complement
to type 2SB824
APPLICATIONS
・Suitable
for relay drivers,high-speed
Inverters,converters,and other general
large-current switching applications
PINNING
PIN
1
2
3
DESCRIPTION
Emitter
Collector;connected to
mounting base
Base
Absolute maximum ratings (Ta=25
℃)
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
stg
PARAMETER
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current (DC)
Collector current (Pulse)
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
T
C
=25℃
CONDITIONS
Open emitter
Open base
Open collector
VALUE
60
50
6
5
9
30
150
-55~150
UNIT
V
V
V
A
A
W
JMnic

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描述
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