PowerMOS transistor
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) |
| 包装说明 | , |
| Reach Compliance Code | unknow |
| 配置 | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 4 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码 | e0 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 125 W |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| BUK436-800A | BUK436-800B | BUK436W-800A | BUK436W-800B | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | PowerMOS transistor | PowerMOS transistor | RECTIFIER SCHOTTKY SINGLE 2A 80V 50A-Ifsm 0.79Vf 0.5A-IR SMB 3K/REEL | DIODE, SCHOTTKY, SM, 100V.3A, B310 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) | Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) | Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) | Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) |
| Reach Compliance Code | unknow | unknow | unknow | unknow |
| 配置 | Single | Single | Single | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 4 A | 3.5 A | 4 A | 3.5 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 125 W | 125 W | 125 W | 125 W |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
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