30 W, 28V, GaN HEMT for Linear Communications ranging from VHF to 3 GHz
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
包装说明 | ROHS COMPLIANT PACKAGE-2 |
针数 | 2 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 120 V |
FET 技术 | HIGH ELECTRON MOBILITY |
最高频带 | S BAND |
JESD-30 代码 | R-CDFP-F2 |
JESD-609代码 | e4 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLATPACK |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | GOLD OVER NICKEL |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | GALLIUM NITRIDE |
Base Number Matches | 1 |
CGH27030P | CGH27030F-AMP | CGH27030F-TB | CGH27030F_15 | |
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描述 | 30 W, 28V, GaN HEMT for Linear Communications ranging from VHF to 3 GHz | 30 W, 28V, GaN HEMT for Linear Communications ranging from VHF to 3 GHz | 30 W, 28V, GaN HEMT for Linear Communications ranging from VHF to 3 GHz | 30 W, 28V, GaN HEMT for Linear Communications ranging from VHF to 3 GHz |
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