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CGH27030P

产品描述30 W, 28V, GaN HEMT for Linear Communications ranging from VHF to 3 GHz
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小998KB,共12页
制造商Cree(科瑞)
官网地址http://www.cree.com/
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CGH27030P概述

30 W, 28V, GaN HEMT for Linear Communications ranging from VHF to 3 GHz

CGH27030P规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最小漏源击穿电压120 V
FET 技术HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带S BAND
JESD-30 代码R-CDFP-F2
JESD-609代码e4
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层GOLD OVER NICKEL
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM NITRIDE
Base Number Matches1

CGH27030P相似产品对比

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描述 30 W, 28V, GaN HEMT for Linear Communications ranging from VHF to 3 GHz 30 W, 28V, GaN HEMT for Linear Communications ranging from VHF to 3 GHz 30 W, 28V, GaN HEMT for Linear Communications ranging from VHF to 3 GHz 30 W, 28V, GaN HEMT for Linear Communications ranging from VHF to 3 GHz
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