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CGH60060D

产品描述C BAND, GaN, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小512KB,共7页
制造商Cree(科瑞)
官网地址http://www.cree.com/
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CGH60060D在线购买

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CGH60060D概述

C BAND, GaN, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET

C波段, GaN, N沟道, 射频功率, HEMFET

CGH60060D规格参数

参数名称属性值
端子数量18
最小击穿电压120 V
加工封装描述ROHS COMPLIANT PACKAGE-18
状态ACTIVE
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸UNCASED CHIP
表面贴装Yes
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
包装材料UNSPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM NITRIDE
通道类型N-CHANNEL
场效应晶体管技术HIGH ELECTRON MOBILITY
操作模式ENHANCEMENT
晶体管类型RF POWER
最高频带C BAND

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