C BAND, GaN, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
C波段, GaN, N沟道, 射频功率, HEMFET
参数名称 | 属性值 |
端子数量 | 18 |
最小击穿电压 | 120 V |
加工封装描述 | ROHS COMPLIANT PACKAGE-18 |
状态 | ACTIVE |
包装形状 | RECTANGULAR |
包装尺寸 | UNCASED CHIP |
表面贴装 | Yes |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | UPPER |
包装材料 | UNSPECIFIED |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | GALLIUM NITRIDE |
通道类型 | N-CHANNEL |
场效应晶体管技术 | HIGH ELECTRON MOBILITY |
操作模式 | ENHANCEMENT |
晶体管类型 | RF POWER |
最高频带 | C BAND |
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