C BAND, GaN, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
C波段, GaN, N沟道, 射频功率, HEMFET
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Cree(科瑞) |
包装说明 | FLATPACK, R-CDFP-F2 |
针数 | 2 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | SOURCE |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 120 V |
FET 技术 | HIGH ELECTRON MOBILITY |
最高频带 | C BAND |
JESD-30 代码 | R-CDFP-F2 |
JESD-609代码 | e4 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLATPACK |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrie |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | GALLIUM NITRIDE |
CGH55015P2 | CGH55015-AMP | CGH55015-TB | |
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描述 | C BAND, GaN, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET | C BAND, GaN, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET | C BAND, GaN, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
最高频带 | C BAND | C BAND | C BAND |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 2 | 2 |
表面贴装 | YES | Yes | Yes |
端子形式 | FLAT | FLAT | FLAT |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | GALLIUM NITRIDE | GALLIUM NITRIDE | GALLIUM NITRIDE |
最小击穿电压 | - | 120 V | 120 V |
加工封装描述 | - | ROHS COMPLIANT PACKAGE-2 | ROHS COMPLIANT PACKAGE-2 |
状态 | - | ACTIVE | ACTIVE |
包装形状 | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
包装尺寸 | - | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
端子涂层 | - | NICKEL GOLD | NICKEL GOLD |
包装材料 | - | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
结构 | - | SINGLE | SINGLE |
壳体连接 | - | SOURCE | SOURCE |
通道类型 | - | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
场效应晶体管技术 | - | HIGH ELECTRON MOBILITY | HIGH ELECTRON MOBILITY |
操作模式 | - | ENHANCEMENT | ENHANCEMENT |
晶体管类型 | - | RF POWER | RF POWER |
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