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CGH55015P2

产品描述C BAND, GaN, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小2MB,共11页
制造商Cree(科瑞)
官网地址http://www.cree.com/
标准
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CGH55015P2概述

C BAND, GaN, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET

C波段, GaN, N沟道, 射频功率, HEMFET

CGH55015P2规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Cree(科瑞)
包装说明FLATPACK, R-CDFP-F2
针数2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压120 V
FET 技术HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带C BAND
JESD-30 代码R-CDFP-F2
JESD-609代码e4
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrie
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM NITRIDE

CGH55015P2相似产品对比

CGH55015P2 CGH55015-AMP CGH55015-TB
描述 C BAND, GaN, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET C BAND, GaN, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET C BAND, GaN, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
最高频带 C BAND C BAND C BAND
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
表面贴装 YES Yes Yes
端子形式 FLAT FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 GALLIUM NITRIDE GALLIUM NITRIDE GALLIUM NITRIDE
最小击穿电压 - 120 V 120 V
加工封装描述 - ROHS COMPLIANT PACKAGE-2 ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
状态 - ACTIVE ACTIVE
包装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
包装尺寸 - FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
端子涂层 - NICKEL GOLD NICKEL GOLD
包装材料 - CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
结构 - SINGLE SINGLE
壳体连接 - SOURCE SOURCE
通道类型 - N-CHANNEL N-CHANNEL
场效应晶体管技术 - HIGH ELECTRON MOBILITY HIGH ELECTRON MOBILITY
操作模式 - ENHANCEMENT ENHANCEMENT
晶体管类型 - RF POWER RF POWER
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