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K4X51323PE-8EC30

产品描述DDR DRAM, 16MX32, 6ns, CMOS, PBGA90,
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文件大小564KB,共20页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
标准
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K4X51323PE-8EC30概述

DDR DRAM, 16MX32, 6ns, CMOS, PBGA90,

K4X51323PE-8EC30规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid108386345
包装说明FBGA, BGA90,9X15,32
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间6 ns
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度2,4,8,16
JESD-30 代码R-PBGA-B90
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度32
端子数量90
字数16777216 words
字数代码16000000
最高工作温度85 °C
最低工作温度-25 °C
组织16MX32
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装等效代码BGA90,9X15,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, FINE PITCH
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
连续突发长度2,4,8,16
最大待机电流0.0003 A
最大压摆率0.12 mA
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM

 
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