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SEMD6

产品描述NPN/PNP Silicon Digital Transistor Array Preliminary data
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小154KB,共5页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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SEMD6概述

NPN/PNP Silicon Digital Transistor Array Preliminary data

SEMD6规格参数

参数名称属性值
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码SOT
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数6
制造商包装代码SOT666
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)120
JESD-30 代码R-PDSO-F6
JESD-609代码e3
元件数量2
端子数量6
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN AND PNP
最大功率耗散 (Abs)0.25 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)150 MHz
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