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AP18T10GH-HF

产品描述Fast Switching Characteristic
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小62KB,共5页
制造商APEC
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AP18T10GH-HF概述

Fast Switching Characteristic

AP18T10GH-HF规格参数

参数名称属性值
厂商名称APEC
零件包装代码TO-252
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数4
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)9 A
最大漏源导通电阻0.16 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)30 A
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

AP18T10GH-HF相似产品对比

AP18T10GH-HF AP18T10GH-HF_16 AP18T10GJ-HF
描述 Fast Switching Characteristic Fast Switching Characteristic Fast Switching Characteristic
厂商名称 APEC - APEC
零件包装代码 TO-252 - TO-251
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 - IN-LINE, R-PSIP-T3
针数 4 - 3
Reach Compliance Code compli - compli
ECCN代码 EAR99 - EAR99
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V - 100 V
最大漏极电流 (ID) 9 A - 9 A
最大漏源导通电阻 0.16 Ω - 0.16 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-252 - TO-251
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 - R-PSIP-T3
元件数量 1 - 1
端子数量 2 - 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE - ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - IN-LINE
极性/信道类型 N-CHANNEL - N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 30 A - 30 A
表面贴装 YES - NO
端子形式 GULL WING - THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE - SINGLE
晶体管应用 SWITCHING - SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON - SILICON

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