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AP75N07GS-HF

产品描述Fast Switching Characteristic
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小56KB,共5页
制造商APEC
标准
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AP75N07GS-HF概述

Fast Switching Characteristic

AP75N07GS-HF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称APEC
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)450 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压75 V
最大漏极电流 (ID)80 A
最大漏源导通电阻0.011 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)320 A
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

AP75N07GS-HF相似产品对比

AP75N07GS-HF AP75N07GP-HF
描述 Fast Switching Characteristic Fast Switching Characteristic
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 APEC APEC
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 450 mJ 450 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 75 V 75 V
最大漏极电流 (ID) 80 A 80 A
最大漏源导通电阻 0.011 Ω 0.011 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-263AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 2 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 320 A 320 A
表面贴装 YES NO
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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