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AP9971AGJ-HF

产品描述Fast Switching Characteristic
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小97KB,共5页
制造商APEC
标准
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AP9971AGJ-HF概述

Fast Switching Characteristic

AP9971AGJ-HF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称APEC
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Codecompli
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)22 A
最大漏源导通电阻0.036 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-251
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)80 A
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

AP9971AGJ-HF相似产品对比

AP9971AGJ-HF AP9971AGH-HF_16 AP9971AGH-HF
描述 Fast Switching Characteristic Fast Switching Characteristic Fast Switching Characteristic
是否Rohs认证 符合 - 符合
厂商名称 APEC - APEC
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 - SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code compli - compli
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V - 60 V
最大漏极电流 (ID) 22 A - 22 A
最大漏源导通电阻 0.036 Ω - 0.036 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-251 - TO-252
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 - R-PSSO-G2
元件数量 1 - 1
端子数量 3 - 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE - ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE - SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL - N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 80 A - 80 A
表面贴装 NO - YES
端子形式 THROUGH-HOLE - GULL WING
端子位置 SINGLE - SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING - SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON - SILICON
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