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SF57

产品描述5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小66KB,共2页
制造商MCC
官网地址http://www.mccsemi.com
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SF57概述

5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

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MCC
Features
  
omponents
21201 Itasca Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#

SF51
THRU
SF57
5.0 Amp Super Fast
Rectifier
50 to 600 Volts
DO-201AD
Superfast recovery times-epitaxial construction
Low forward voltage, high current capability
Low leakage
High surge capability
Maximum Ratings
Operating Junction Temperature: -55°C to +150°C
Storage Temperature: -55°C to +150°C
Maximum Thermal Resistance; 25
°C/W
Junction To Ambient
MCC
Part Number
SF51
SF52
SF53
SF54
SF35
SF56
SF57
Maximum
Recurrent
Peak Reverse
Voltage
50V
100V
150V
200V
300V
400V
600V
Maximum
RMS
Voltage
35V
70V
105V
140V
210V
280V
420V
Maximum DC
Blocking
Voltage
50V
100V
150V
200V
300V
400V
600V
D
A
Cathode
Mark
B
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
Peak Forward Surge
Current
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
SF51-SF54
SF55-SF56
SF57
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
Typical Junction
Capacitance
I
F(AV)
I
FSM
5.0A
150A
T
A
= 55°C
8.3ms, half sine
C
D
V
F
0.95V
1.25V
1.70V
I
R
5.0uA
300uA
I
FM
= 5.0A;
T
A
= 25°C
DIMENSIONS
T
A
= 25°C
T
A
= 125°C
C
J
45pF
Measured at
1.0MHz, V
R
=4.0V
DIM
A
B
C
D
INCHES
MIN
---
---
.048
1.000
MAX
.370
.250
.052
---
MM
MIN
---
---
1.20
25.40
MAX
9.50
6.40
1.30
---
NOTE
I
F
=0.5A, I
R
=1.0A,
Maximum Reverse
T
RR
35nS
Recovery Time
I
RR
=0.25A
Pulse Test: Pulse width 300 usec, Duty cycle 1%.
www.mccsemi.com

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SF57 SF56 SF54 SF53 SF52 SF51
描述 5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD RECTIFIER DIODE 5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

 
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