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SF66-T3

产品描述6 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小41KB,共3页
制造商Won-Top Electronics Co., Ltd.
官网地址https://www.wontop.com/
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SF66-T3概述

6 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

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W TE
PO WE R SEM IC O ND UC TO R S
SF61 – SF66
6.0A SUPER-FAST RECTIFIER
Features
!
!
!
!
!
Diffused Junction
Low Forward Voltage Drop
High Current Capability
High Reliability
High Surge Current Capability
A
B
A
Mechanical Data
!
!
!
!
!
!
!
Case: Molded Plastic
Terminals: Plated Leads Solderable per
MIL-STD-202, Method 208
Polarity: Cathode Band
Weight: 1.2 grams (approx.)
Mounting Position: Any
Marking: Type Number
Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant
D
DO-201AD
Dim
Min
Max
A
25.4
B
8.50
9.50
C
1.20
1.30
D
5.0
5.60
All Dimensions in mm
C
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
(Note 1)
@T
A
= 50°C
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
O
@T
A
=25°C unless otherwise specified
SF61
50
35
SF62
100
70
SF63
150
105
6.0
SF64
200
140
SF65
300
210
SF66
400
280
Unit
V
V
A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms
Single half sine-wave superimposed on rated load
(JEDEC Method)
Forward Voltage
Peak Reverse Current
At Rated DC Blocking Voltage
Reverse Recovery Time (Note 2)
Typical Junction Capacitance (Note 3)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
@I
F
= 6.0A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 100°C
I
FSM
V
FM
I
RM
t
rr
C
j
T
j
T
STG
120
0.975
150
1.3
5.0
100
35
60
-65 to +125
-65 to +150
A
V
µA
nS
pF
°C
°C
*Glass passivated forms are available upon request
Note: 1. Leads maintained at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case
2. Measured with IF = 0.5A, IR = 1.0A, IRR = 0.25A. See figure 5.
3. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
SF61 – SF66
1 of 3
© 2002 Won-Top Electronics
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