SFH 214
SFH 214 FA
Neu: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit
New: Silicon PIN Photodiode with Very Short
Switching Time
SFH 214
SFH 214 FA
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm
(SFH 214) und bei 880 nm (SFH 214 FA)
q
Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns)
q
5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
q
Auch gegurtet lieferbar
Anwendungen
q
Industrieelektronik
q
“Messen/Steuern/Regeln”
q
Schnelle Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q
LWL
Features
q
Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm (SFH 214) and of
880 nm (SFH 214 FA)
q
Short switching time (typ. 5 ns)
q
5 mm LED plastic package
q
Also available on tape
Applications
q
Industrial electronics
q
For control and drive circuits
q
Photointerrupters
q
Fiber optic transmission systems
Typ
Type
SFH 214
SFH 214 FA
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P922
Q62702-P1672
Semiconductor Group
1
03.96
feof6652
feo06652
SFH 214
SFH 214 FA
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit
t
≤
3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (
t
≤
3 s)
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung
Total power dissipation
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 55 ... + 100
300
Einheit
Unit
°C
°C
T
op
;
T
stg
T
S
V
R
P
tot
50
100
V
mW
Kennwerte
(T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
V
R
= 5 V, Normlicht/standard light A,
T
= 2856 K,
V
R
= 5 V,
λ
= 870 nm,
E
e
= 1 mW/cm
2
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
Symbol
Symbol
SFH 214
Wert
Value
SFH 214 FA
Einheit
Unit
S
S
λ
S max
λ
45 (≥ 30)
–
850
–
25 (≥ 20)
900
nA/Ix
µA
nm
nm
400 ... 1100 750 ... 1100
A
L
×
B
L
×
W
H
1
1
×
1
1
1
×
1
mm
2
mm
×
mm
3.4 ... 4.0
3.4 ... 4.0
mm
Semiconductor Group
2
SFH 214
SFH 214 FA
Kennwerte
(T
A
= 25
°C)
Characteristics
(cont’d)
Bezeichnung
Description
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom,
V
R
= 20 V
Dark current
Spektrale Fotoempfindlichkeit,
λ
= 850 nm
Spectral sensitivity
Quantenausbeute,
λ
= 850 nm
Quantum yield
Leerlaufspannung
Open-circuit voltage
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T
= 2856 K
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
λ
= 870 nm
Kurzschlußstrom
Short-circuit current
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T
= 2856 K
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
λ
= 870 nm
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
L
= 50
Ω;
V
R
= 20 V;
λ
= 850 nm;
I
p
= 800
µA
Durchlaßspannung,
I
F
= 80 mA,
E
= 0
Forward voltage
Kapazität,
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
Temperaturkoeffizient von
V
O
Temperature coefficient of
V
O
Temperaturkoeffizient von
I
SC
Temperature coefficient of
I
SC
Normlicht/standard light A
λ
= 870 nm
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
V
R
= 10 V,
λ
= 850 nm
Nachweisgrenze,
V
R
= 20 V,
λ
= 850 nm
Detection limit
Symbol
Symbol
SFH 214
ϕ
±
40
1 (≤ 5)
0.62
0.89
Wert
Value
SFH 214 FA
±
40
1 (≤ 5)
0.59
0.86
Grad
deg.
nA
A/W
Electrons
Photon
Einheit
Unit
I
R
S
λ
η
V
O
V
O
380 (≥ 300)
–
–
340 (≥ 290)
mV
mV
I
SC
I
SC
t
r
,
t
f
42
–
5
–
12
5
µA
µA
ns
V
F
C
0
TC
V
TC
I
1.3
11
– 2.6
1.3
11
– 2.6
V
pF
mV/K
%/K
0.18
–
–
0.2
W
√Hz
cm ·
√Hz
W
NEP
2.9
×
10
– 14
2.9
×
10
– 14
D*
3.5
×
10
12
3.5
×
10
12
Semiconductor Group
3
SFH 214
SFH 214 FA
Relative spectral sensitivity SFH 214
S
rel
=
f
(λ)
Relative spectral sensitivity SFH 214 FA
S
rel
=
f
(λ)
Photocurrent
I
P
=
f
(E
v
),
V
R
= 5 V
Open-circuit voltage
V
O
=
f
(E
v
)
SFH 214
Photocurrent
I
P
=
f
(E
e
),
V
R
= 5 V
Open-circuit voltage
V
O
=
f
(E
e
)
SFH 214 FA
Total power dissipation
P
tot
=
f
(T
A
)
Dark current
I
R
=
f
(V
R
),
E
= 0
Directional characteristics
S
rel
=
f
(ϕ)
Semiconductor Group
4
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
