SFH 205
SFH 206
Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter
Silicon-PIN-Photodiode with Daylight Filter
SFH 205
SFH 206
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet für Anwendungen bei
950 nm
q
Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
q
5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
q
Auch gegurtet lieferbar
Anwendungen
q
IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern, Gerätefernsteuerungen
q
Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Features
q
Especially suitable for applications of
950 nm
q
Short switching time (typ. 20 ns)
q
5 mm LED plastic package
q
Also available on tape
Applications
q
IR-remote control of hi-fi and TV sets, video
tape recorders, dimmers, remote control of
various equipment
q
Light reflecting switches for steady and
varying intensity
SFH 205
SFH 206
Typ (* ab 4/95)
Type (* as of 4/95)
SFH 205
(* SFH 205 F)
SFH 206
(* SFH 206 F)
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P102
Q62702-P128
Gehäuse
Package
10 A3 DIN 41868 (TO-92-ähnlich), schwarzes
Epoxy-Gieβharz, Lötspieβe im
2.54-mm-Raster (
1
/
10
), Kathodenkennzeichnung:
Gehäusekerbe
10 A3 DIN 41 868 (similar to TO-92), black epoxy
resin, solder tabs 2.54 (
1
/
10
) lead spacing, cathode
marking: notch at package
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit
t
≤
3s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t
≤
3s)
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung,
T
A
= 25
o
C
Total power dissipation
Kennwerte
(T
A
= 25
o
C,
λ
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
V
R
= 5 V,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10% von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10% of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Symbol
Symbol
S
Wert
Value
25 (≥ 15)
Einheit
Unit
µA
Symbol
Symbol
T
op
;
T
stg
T
S
Wert
Value
–55 ... +80
230
Einheit
Unit
o
C
o
C
V
R
P
tot
32
150
V
mW
λ
S max
λ
950
800 ... 1100
nm
nm
A
7.00
mm
2
SFH 205
SFH 206
Kennwerte
(T
A
= 25
o
C,
λ
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu
Gehäuseoberfläche
Distance chip surface to case surface
SFH 205
SFH 206
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom,
V
R
= 10 V
Dark current
Spektrale Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
Quantenausbeute
Quantum yield
Leerlaufspannung,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
Open-circuit voltage
Kurzschluβstrom,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
Short-circuit current
Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
L
= 50
Ω;
V
R
= 5 V;
λ
= 850 nm;
I
p
= 800
µA
Durchlaβspannung,
I
F
= 100 mA,
E
= 0
Forward voltage
Kapazität,
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
Temperaturkoeffizient von
V
L
Temperature coefficient of
V
L
Temperaturkoeffizient von
I
K,
Temperature coefficient of
I
K
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
V
R
= 10 V
Nachweisgrenze,
V
R
= 10 V
Detection limit
Symbol
Symbol
L
x
B
L
x
W
Wert
Value
2.65 x 2.65
Einheit
Unit
mm
H
H
ϕ
I
R
S
λ
η
V
L
I
K
t
r
,
t
f
2.3 ... 2.5
1.2 ... 1.4
±
60
2 (≤ 30)
0.59
0.77
330 (≥ 250)
25
20
mm
mm
Grad
deg.
nA
A/W
Electrons
Photon
mV
µA
ns
V
F
C
0
TC
V
TC
I
NEP
1.3
72
–2.6
0.18
4.3 x 10
–14
V
pF
mV/K
%/K
W
√Hz
cm ·
√Hz
W
D*
6.2 x 10
12
SFH 205
SFH 206
Relative spectral sensitivity
S
rel
=
f
(λ)
Photocurrent
I
P
=
f
(E
e
),
V
R
= 5 V
Open-circuit-voltage
V
L
=
f
(E
e
)
Total power dissipation
P
tot
=
f
(T
A
)
Dark current
I
R
=
f
(V
R
),
E
= 0
Capacitance
C
=
f
(V
R
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
Dark current
I
R
=
f
(T
A
),
V
R
= 10 V,
E
= 0
Directional characteristics
S
rel
=
f
(ϕ)
51单片机
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