Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter
Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter
SFH 225 FA
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet für Anwendungen bei
Features
q
Especially suitable for applications of
880 nm
q
Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
q
5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
q
Auch gegurtet lieferbar
Anwendungen
q
IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
880 nm
q
Short-switching time (typ. 20 ns)
q
5 mm LED plastic package
q
Also available on tape
Applications
q
IR-remote control of hi-fi and TV sets, video
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern und Gerätefernsteuerungen
q
Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
tape recorders, dimmers, remote control of
various equipment
q
Photointerrupters
Typ (*vorher)
Type (*formerly)
SFH 225 FA
(*SFH 225)
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P1051
Semiconductor Group
1
1998-04-20
feo06422
SFH 225 FA
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit
t
≤
3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (
t
≤
3 s)
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung,
T
A
= 25
°C
Total power dissipation
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40 ... + 80
230
Einheit
Unit
°C
°C
T
op
;
T
stg
T
S
V
R
P
tot
20
150
V
mW
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 870 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
V
R
= 5 V,
E
e
= 1 mW/cm
2
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Symbol
Symbol
Wert
Value
34 (≥ 25)
Einheit
Unit
µA
S
λ
S max
λ
900
740 ... 1120
nm
nm
A
L
×
B
L
×
W
H
4.84
2.20
×
2.20
mm
2
mm
×
mm
0.6 ... 0.8
mm
ϕ
±
60
Grad
deg.
Semiconductor Group
2
1998-04-20
SFH 225 FA
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 870 nm)
Characteristics
(cont’d)
Bezeichnung
Description
Dunkelstrom,
V
R
= 10 V
Dark current
Spektrale Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
Quantenausbeute
Quantum yield
Leerlaufspannung,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
Open-circuit voltage
Kurzschlußstrom,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
Short-circuit current
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
L
= 50
Ω;
V
R
= 5 V;
λ
= 850 nm;
I
p
= 800
µA
Durchlaßspannung,
I
F
= 100 mA,
E
= 0
Forward voltage
Kapazität,
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
Temperaturkoeffizient von
V
O
Temperature coefficient of
V
O
Temperaturkoeffizient von
I
SC
Temperature coefficient of
I
SC
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
V
R
= 10 V
Nachweisgrenze,
V
R
= 10 V
Detection limit
Symbol
Symbol
Wert
Value
2 (≤ 30)
0.63
0.90
330 (≥ 250)
17
20
Einheit
Unit
nA
A/W
Electrons
Photon
mV
µA
ns
I
R
S
λ
η
V
O
I
SC
t
r
,
t
f
V
F
C
0
TC
V
TC
I
NEP
1.3
48
– 2.6
0.18
3.6
×
10
– 14
V
pF
mV/K
%/K
W
√Hz
cm ·
√Hz
W
D*
6.1
×
10
12
Semiconductor Group
3
1998-04-20
SFH 225 FA
Relative spectral sensitivity
S
rel
=
f
(λ)
100
OHF01430
Photocurrent
I
P
=
f
(E
e
),
V
R
= 5 V
Open-circuit voltage
V
O
=
f
(E
e
)
Ι
P
10
3
µ
A
OHF01056
Total power dissipation
P
tot
=
f
(T
A
)
10
4
mV
S
rel
%
80
70
60
50
40
30
20
10
0
400
600
800
1000 nm 1200
λ
V
O
10
3
160
mW
P
tot
140
120
100
OHF00398
10
2
V
O
10
1
10
2
80
60
Ι
P
10
0
10
1
40
20
10
-1
10
0
10
1
10
2
µ
W/cm
2
E
e
10
0
10
4
0
0
20
40
60
80 ˚C 100
T
A
Dark current
I
R
=
f
(V
R
),
E
= 0
4000
OHF00080
Capacitance
C
=
f
(V
R
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
Dark current
I
R
=
f
(T
A
),
V
R
= 10 V,
E
= 0
10
3
OHF00082
Ι
R
pA
Ι
R
nA
10
2
3000
2000
10
1
1000
10
0
0
0
5
10
15
V
V
R
20
10
-1
0
20
40
60
80 ˚C 100
T
A
Directional characteristics
S
rel
=
f
(ϕ)
40
30
20
10
ϕ
0
1.0
OHF01402
50
0.8
60
0.6
70
0.4
80
0.2
0
90
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
Semiconductor Group
4
1998-04-20
京公网安备 11010802033920号
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