SFH 229
SFH 229 FA
Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit
Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time
SFH 229
SFH 229 FA
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 380 nm bis 1100 nm (SFH 229)
und bei 880 nm (SFH 229 FA)
q
Kurze Schaltzeit (typ. 10 ns)
q
3 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
q
Auch gegurtet lieferbar
Anwendungen
q
Lichtschranken für Gleich- und
Wechselbetrieb
q
Industrieelektronik
q
“Messen/Steuern/Regeln”
Features
q
Especially suitable for applications from
380 nm to 1100 nm (SFH 229) and of
880 nm (SFH 229 FA)
q
Short switching time (typ. 10 ns)
q
3 mm LED plastic package
q
Also available on tape
Applications
q
Photointerrupters
q
Industrial electronics
q
For control and drive circuits
Typ (*vorher)
Type (*formerly)
SFH 229
SFH 229 FA
(*SFH 229 F)
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P215
Q62702-P216
Semiconductor Group
1
01.97
feof6447
feo06447
SFH 229
SFH 229 FA
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit
t
≤
3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (
t
≤
3 s)
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung
Total power dissipation
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 55 ... + 100
230
Einheit
Unit
°C
°C
T
op
;
T
stg
T
S
V
R
P
tot
20
150
V
mW
Kennwerte
(T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
V
R
= 5 V, Normlicht/standard light A,
T
= 2856 K,
V
R
= 5 V
,
λ
= 950 nm,
E
e
= 1 mW/cm
2
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuse-
oberfläche
Distance chip front to case surface
Symbol
Symbol
SFH 229
Wert
Value
SFH 229 FA
Einheit
Unit
S
S
λ
S max
λ
28 (≥ 18)
–
860
–
20 (≥ 10.8)
900
nA/Ix
µA
nm
nm
380 ... 1100 730 ... 1100
A
L
×
B
L
×
W
H
0.3
0.56
×
0.56
0.3
0.56
×
0.56
mm
2
mm
×
mm
2.4 ... 2.8
2.4 ... 2.8
mm
Semiconductor Group
2
SFH 229
SFH 229 FA
Kennwerte
(T
A
= 25
°C)
Characteristics
(cont’d)
Bezeichnung
Description
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom,
V
R
= 10 V
Dark current
Spektrale Fotoempfindlichkeit,
λ
= 850 nm
Spectral sensitivity
Quantenausbeute,
λ
= 850 nm
Quantum yield
Leerlaufspannung
Open-circuit voltage
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T
= 2856 K
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
λ
= 950 nm
Kurzschlußstrom
Short-circuit current
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T
= 2856 K
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
λ
= 950 nm
Symbol
Symbol
SFH 229
ϕ
±
17
50 (≤ 5000)
0.62
0.90
Wert
Value
SFH 229 FA
±
17
50 (≤ 5000)
0.60
0.88
Grad
deg.
pA
A/W
Electrons
Photon
Einheit
Unit
I
R
S
λ
η
V
O
V
O
450 (≥ 400)
–
–
420 (≥ 370)
mV
mV
I
SC
I
SC
27
–
10
–
9
10
µA
µA
ns
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
t
r
,
t
f
Rise and fall time of the photocurrent
R
L
= 50
Ω;
V
R
= 10 V;
λ
= 850 nm;
I
p
= 800
µA
Durchlaßspannung,
I
F
= 100 mA,
E
= 0
Forward voltage
Kapazität,
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
Temperaturkoeffizient von
V
O
Temperature coefficient of
V
O
Temperaturkoeffizient von
I
SC
Temperature coefficient of
I
SC
Normlicht/standard light A
λ
= 950 nm
V
F
C
0
TC
V
TC
I
1.3
13
– 2.6
1.3
13
– 2.6
V
pF
mV/K
%/K
0.18
–
–
0.2
Semiconductor Group
3
SFH 229
SFH 229 FA
Kennwerte
(T
A
= 25
°C)
Characteristics
(cont’d)
Bezeichnung
Description
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
V
R
= 10 V,
λ
= 850 nm
Nachweisgrenze,
V
R
= 10 V,
λ
= 850 nm
Detection limit
Symbol
Symbol
SFH 229
Wert
Value
SFH 229 FA
6.5
×
10
– 15
W
√Hz
cm ·
√Hz
W
6.5
×
10
– 15
Einheit
Unit
NEP
D*
8.4
×
10
12
8.4
×
10
12
Directional characteristics
S
rel
=
f
(ϕ)
Semiconductor Group
4
SFH 229
SFH 229 FA
Relative spectral sensitivity
S
rel
=
f
(λ)
SFH 229
Relative spectral sensitivity
S
rel
=
f
(λ)
SFH 229 FA
Photocurrent
I
P
=
f
(E
v
),
V
R
= 5 V
Open-circuit voltage
V
O
=
f
(E
v
)
SFH 229
Photocurrent
I
P
=
f
(E
e
),
V
R
= 5 V
Open-circuit voltage
V
O
=
f
(E
e
)
SFH 229 FA
Total power dissipation
P
tot
=
f
(T
A
)
Dark current
I
R
=
f
(V
R
),
E
= 0
Capacitance
C
=
f
(V
R
),
f
= 1 MHZ,
E
= 0
Dark current
I
R
=
f
(T
A
),
V
R
= 10 V,
E
= 0
Semiconductor Group
5
ARM技术
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