SFH 310
SFH 310 FA
Neu: NPN-Silizium-Fototransistor
New: Silicon NPN Phototransistor
SFH 310
SFH 310 FA
Area not flat
0.6
0.4
0.7
0.4
0.8
0.4
4.8
4.4
2.7
2.1
3.4
3.1
2.54 mm
spacing
1.1
0.9
1.8
1.2
29.0
27.0
3.7
3.5
6.1
5.7
0.6
0.4
Collector/
Cathode
Chip position
GEX06710
ø2.9
ø2.7
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet für Anwendungen im
Features
q
Especially suitable for applications from
Bereich von 400 nm bis 1100 nm
(SFH 310) und bei 880 nm (SFH 310 FA)
q
Hohe Linearität
q
3 mm-Plastikbauform
Anwendungen
q
Lichtschranken für Gleich- und
400 nm to 1100 nm (SFH 310) and of
880 nm (SFH 310 FA)
q
High linearity
q
3 mm plastic package
Applications
q
Photointerrupters
q
Industrial electronics
q
For control and drive circuits
Wechsellichtbetrieb
q
Industrieelektronik
q
“Messen/Steuern/Regeln”
Semiconductor Group
1
03.96
1998-07-13
feof6653
feo06653
SFH 310
SFH 310 FA
Typ
Type
SFH 310
SFH 310-2
SFH 310-3
SFH 310 FA
SFH 310 FA-2
SFH 310 FA-3
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P874
on request
on request
Q62702-P1673
on request
on request
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle
≥
2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit
t
≤
5 s
Dip soldering temperature
≥
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
≤
5 s
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle
≥
2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit
t
≤
3 s
Iron soldering temperature
≥
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
≤
3 s
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Kollektorspitzenstrom,
τ <
10
µs
Collector surge current
Verlustleistung,
T
A
= 25
°
C
Total power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 55 ... + 100
260
Einheit
Unit
°C
°C
T
op
;
T
stg
T
S
T
S
300
°C
V
CE
I
C
I
CS
P
tot
R
thJA
70
50
100
165
450
V
mA
mA
mW
K/W
Semiconductor Group
2
1998-07-13
SFH 310
SFH 310 FA
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Kapazität,
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
Dunkelstrom
Dark current
V
CE
= 10 V,
E
= 0
Fotostrom
Photocurrent
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
V
CE
= 5 V
Symbol
Symbol
SFH 310
λ
S max
λ
780
Wert
Value
SFH 310 FA
880
nm
nm
Einheit
Unit
470 ... 1070 740 ... 1070
A
L
×
B
L
×
W
H
0.19
0.65
×
0.65
2.1 ... 2.7
0.19
0.65
×
0.65
2.1 ... 2.7
mm
2
mm
×
mm
mm
ϕ
±
25
10
5 (≤ 100)
±
25
10
5 (≤ 100)
Grad
deg.
pF
nA
C
CE
I
CEO
I
PCE
I
PCE
≥
0.4
4
≥
0.4
–
mA
mA
Semiconductor Group
3
1998-07-13
SFH 310
SFH 310 FA
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.
Bezeichnung
Description
Fotostrom,
λ =
950 nm
Photocurrent
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
SFH 310:
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/
standard light A,
V
CE
= 5 V
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
C
= 1 mA,
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 kΩ
Kollektor-Emitter-
Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation
voltage
I
C
=
I
PCEmin
1)
×
0.3,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
1)
1)
Symbol
Symbol
-1
-2
Wert
Value
-3
-4
Einheit
Unit
I
PCE
I
PCE
t
r
,
t
f
0.4 ... 0.8 0.63 ... 1.25 1.0 ... 2.0
2.1
5
3.4
7
5.4
8
≥
1.6
8.6
12
mA
mA
µs
V
CEsat
150
150
150
150
mV
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group
Directional characteristics
S
rel
=
f
(ϕ)
Semiconductor Group
4
1998-07-13
SFH 310
SFH 310 FA
T
A
= 25
°C, λ
= 950 nm
Rel.spectr. sensitivity SFH 310,
S
rel
=
f
(λ)
Rel. spectr. sensitivity SFH 310FA,S
rel
=f (λ)
Photocurrent,
I
PCE
=
f
(E
e
),
V
CE
= 5 V
100
OHF02331
S
rel
%
80
60
40
20
0
400
600
800
1000 nm 1200
λ
Total power dissipation
P
tot
=
f
(T
A
)
200
mW
OHF00871
Photocurrent
I
PCE
=
f
(V
CE
),
E
e
= Parameter
Dark current
I
CEO
=
f
(V
CE
),
E
= 0
P
tot
160
120
80
40
0
0
20
40
60
80 ˚C 100
T
A
Dark current
I
CEO
=
f
(T
A
),
V
CE
= 10 V,
E
= 0
Capacitance
C
CE
=
f
(V
CE
),
f
= 1 MHz
Photocurrent
I
PCE
=
f
(T
A
),
V
CE
= 5 V, normalized to 25
o
C
Ι
PCE 25
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-25
Ι
PCE
1.6
OHF01524
0
25
50
75 C 100
T
A
Semiconductor Group
5
1998-07-13
京公网安备 11010802033920号
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