NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
SFH 3401
Chip position
1.1
1.0
0.3
0.2
4.8
4.4
Active area
0.55
0.7
0.3
0.8
0.6
Collector
2.7
2.5
Emitter
GEO06973
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 460 nm bis 1080 nm
q
Hohe Linearität
q
SMT-Bauform mit Basisanschluß, geeignet
für Vapor Phase-Löten und
IR-Reflow-Löten (JEDEC level 4)
q
Nur gegurtet lieferbar
Anwendungen
q
Umgebungslicht-Detektor
q
Lichtschranken für Gleich- und Wechsel-
lichtbetrieb
q
Industrieelektronik
q
„Messen/Steuern/Regeln“
2.1
1.9
0.5
0.3
1.1
0.9
0.1
0.0
Base
Features
q
Especially suitable for applications from
460 nm to 1080 nm
q
High linearity
q
SMT package with base connection,
suitable for vapor phase and IR reflow
soldering (JEDEC level 4)
q
Available only on tape and reel
Applications
q
Ambient light detector
q
Photointerrupters
q
Industrial electronics
q
For control and drive circuits
Semiconductor Group
1
1998-04-27
SFH 3401
Typ
Type
SFH 3401
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P5014
Gehäuse
Package
Klares Epoxy-Gieβharz, Kollektorkennzeichung:
breiter Anschluß
Transparent epoxy resin, collector marking: broad
lead
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektor-Emitterspannung,
t
< 120 s
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Kollektorspitzenstrom,
τ <
10
µs
Collector surge current
Emitter-Kollektorspannung
Emitter-collector voltage
Verlustleistung,
T
A
= 25
°C
Total power dissipation
Wärmewiderstand für Montage auf PC-Board
Thermal resistance for mounting on pcb
Symbol
Symbol
T
op
;
T
stg
V
CE
V
CE
I
C
I
CS
V
EC
P
tot
R
thJA
Wert
Value
– 40 ... + 85
20
70
50
100
7
120
450
Einheit
Unit
o
C
V
V
mA
mA
V
mW
K/W
Semiconductor Group
2
1998-04-27
SFH 3401
Kennwerte
(T
A
= 25
o
C,
λ
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10% von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10% of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Kapazität,
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
Kapazität,
V
CB
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
Kapazität,
V
EB
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
Dunkelstrom
Dark current
V
CE
= 10 V,
E
= 0
Fotostrom der Kollektor-Basis Fotodiode
Photocurrent of collector-base photodiode
E
e
= 0.1 mW/cm
2
,
V
CB
= 5 V
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
V
CB
= 5 V
Symbol
Symbol
λ
S max
λ
Wert
Value
850
Einheit
Unit
nm
460 ... 1080 nm
A
L
x
B
L
x
W
H
ϕ
C
CE
C
CB
C
EB
I
CEO
0.55
1x1
0.2 ... 0.3
±
60
15
45
19
10 (≤ 200)
mm
2
mm x mm
mm
Grad
deg.
pF
pF
pF
nA
I
PCB
I
PCB
0.28
4.8
µA
µA
Semiconductor Group
3
1998-04-27
SFH 3401
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.
Bezeichnung
Description
Fotostrom,
λ =
950 nm
Photocurrent
E
e
= 0.1 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard
light A,
V
CE
= 5 V
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
C
= 1 mA,
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 kΩ
Kollektor-Emitter-
Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
I
C
=
I
PCEmin1)
x 0.3,
E
e
= 0.1 mW/cm
2
Stromverstärkung
Current gain
E
e
= 0.1 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
1)
1)
Symbol
Symbol
Wert
Value
-1
-2
-3
Einheit
Unit
I
PCE
I
PCE
t
r
,
t
f
63 ... 125
1.65
16
100 ... 200 160 ... 320
2.6
24
4.2
34
µA
mA
µs
V
CEsat
170
170
170
mV
I
PCE
----------
-
I
PCB
340
530
860
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group
Directional characteristics
S
rel
=
f
(ϕ)
40
30
20
10
ϕ
0
1.0
OHF01402
50
0.8
60
0.6
70
0.4
80
0.2
0
90
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
Semiconductor Group
4
1998-04-27
SFH 3401
T
A
=
25
o
C,
λ =
950 nm
Rel.spectral sensitivity
S
rel
=
f
(λ)
100
OHF02332
Photocurrent
I
PCE
=
f
(E
e
),
V
CE
= 5 V
10
1
mA
1
2
3
OHF00326
Collector-emitter capacitance
C
CE
=
f
(V
CE
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
50
OHF02344
S
rel
%
80
70
60
50
40
30
20
10
0
400 500 600 700 800 900 nm 1100
λ
Ι
pce
C
CE
pF
40
10
0
10
-1
30
10
-2
20
10
-3
10
10
-4 -3
10
10
-2
mW/cm
2
E
e
10
0
0
-2
10
10
-1
10
0
10
1
V 10
2
V
CE
Photocurrent
I
PCE
=
f
(T
A
),
V
CE
= 5 V, normalized to 25
°C
Ι
PCE 25
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-25
Dark current
I
CEO
=
f
(T
A
),
V
CE
= 10 V,
E
= 0
OHF01524
Collector-base capacitance
C
CB
=
f
(V
CB
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
C
CB
50
pF
45
40
OHF00332
Ι
PCE
1.6
Ι
CEO
10
2
nA
OHF02342
10
1
35
30
10
0
25
20
10
-1
15
10
5
10
-2
0
25
50
75 C 100
T
A
0
20
40
60
80 ˚C 100
T
A
0
-2
10
10
-1
10
0
10
1
V 10
2
V
CB
Photocurrent
I
PCE
=
f
(V
CE
)
SFH 3401-3
Ι
pce
3.0
mA
2.5
1.0 mW/cm
2
OHF00327
Dark current
I
CEO
=
f
(V
CE
),
E
= 0
Ι
CEO
10
2
nA
OHF02341
Emitter-base capacitance
C
EB
=
f
(V
EB
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
C
EB
20
pF
18
16
14
12
OHF00333
10
1
2.0
1.5
0.5 mW/cm
2
1.0
0.25 mW/cm
2
0.5
0.1 mW/cm
2
0
10
0
10
8
10
-1
6
4
2
10
0
10
20
30
40
50
60 V 70
V
ce
-2
0
10
20
30
40
50
V 70
V
CE
0
-2
10
10
-1
10
0
10
1
V 10
2
V
EB
Semiconductor Group
5
1998-04-27
京公网安备 11010802033920号
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