GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
SFH 400
SFH 401
SFH 402
2.54mm
spacing
ø0.45
ø4.8
ø4.6
1
0.9 .1
GEO06314
Chip position (2.7)
Cathode (SFH 480)
Anode (SFH 216, SFH 231,
SFH 400)
Radiant
Sensitive area
5.3
14.5
5.0
12.5
7.4
6.6
Approx. weight 0.5 g
ø5.6
ø5.3
ø0.45
(2.7)
Chip position
Anode = SFH 481
Cathode = SFH 401
(package)
1.1 .9
0
2.54 mm
spacing
welded
14.5
12.5
Approx. weight 0.35 g
Chip position (2.7)
ø0.45
5.5
5.0
14.5
12.5
5.3
5.0
ø5.6
ø5.3
GET06013
Cathode (SFH 402, BPX 65)
Anode (SFH 482)
Approx. weight 0.5 g
2.54
spacing
ø4.8
ø4.6
Radiant sensitive area
1.1 .9
0
1
0.9 .1
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Semiconductor Group
1
1998-04-16
fet06092
fet06091
5.3
5.0
6.4
5.6
ø4.8
ø4.6
1
0.9 .1
ø5.6
ø5.3
GET06091
glass
lens
fet06090
1.1 .9
0
SFH 400,
SFH 401, SFH 402
Wesentliche Merkmale
q
Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
q
Kathode galvanisch mit dem
Gehäuseboden verbunden
q
Hohe Zuverlässigkeit
q
SFH 400: Gehäusegleich mit SFH 216
q
SFH 401: Gehäusegleich mit
BPX 43, BPY 62
q
SFH 402: Gehäusegleich mit BPX 38,
BPX 65
Anwendungen
q
Lichtschranken für Gleich- und
Features
q
Fabricated in a liquid phase epitaxy process
q
Cathode is electrically connected to the case
q
High reliability
q
SFH 400: Same package as SFH 216
q
SFH 401: Same package as
BPX 43, BPY 62
q
SFH 402: Same package as BPX 38,
BPX 65
Applications
q
q
q
q
Wechsellichtbetrieb
q
IR-Fernsteuerungen
q
Industrieelektronik
q
“Messen/Steuern/Regeln”
Photointerrupters
IR remote control
Industrial electronics
For drive and control circuits
Typ
Type
SFH 400
SFH 400-3
SFH 401-2
SFH 401-3
SFH 402
SFH 402-3
SFH 402-2
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P96
Q62702-P784
Q62702-P786
Q62702-P787
Q62702-P98
Q62702-P790
on request
Gehäuse
Package
18 A3 DIN 41876 (TO-18), Glaslinse, hermetisch dichtes
Gehäuse, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
’’)
18 A3 DIN 41876 (TO-18) glass lens, hermetically
sealed package, solder tabs lead spacing 2.54 mm
(
1
/
10
’’)
Semiconductor Group
2
1998-04-16
SFH 400,
SFH 401, SFH 402
Grenzwerte
(
T
C
= 25
°C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
SFH 401:
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
SFH 400, SFH 402:
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom,
t
p
= 10
µs,
D
= 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Spektrale Bandbreite bei 50 % von
I
max
Spectral bandwidth at 50 % of
I
max
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Abstrahlwinkel
Half angle
SFH 400
SFH 401
SFH 402
Aktive Chipfläche
Active chip area
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
950
Einheit
Unit
nm
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 55 ... + 100
Einheit
Unit
°C
T
op
;
T
stg
T
op
;
T
stg
– 55 ... + 125
°C
T
j
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
R
thJA
R
thJC
100
5
300
3
470
450
160
°C
V
mA
A
mW
K/W
K/W
∆λ
55
nm
ϕ
ϕ
ϕ
±
6
±
15
±
40
0.25
Grad
deg.
mm
2
A
Semiconductor Group
3
1998-04-16
SFH 400,
SFH 401, SFH 402
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip front to lens top
SFH 400
SFH 401
SFH 402
Schaltzeiten,
I
e
von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Switching times,
I
e
from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Kapazität
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 5 V
Gesamtstrahlungsfluß
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
λ,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
λ,
I
F
= 100 mA
Symbol
Symbol
Wert
Value
0.5
×
0.5
Einheit
Unit
mm
L
×
B
L
×
W
H
H
H
t
r
,
t
f
4.0 ... 4.8
2.8 ... 3.7
2.1 ... 2.7
1
mm
mm
mm
µs
C
o
40
pF
V
F
V
F
I
R
1.30
(≤
1.5)
1.90
(≤
2.5)
0.01
(≤
1)
V
V
µA
Φ
e
8
mW
TC
I
– 0.55
%/K
TC
V
TC
λ
– 1.5
+ 0.3
mV/K
nm/K
Semiconductor Group
4
1998-04-16
SFH 400,
SFH 401, SFH 402
Gruppierung der Strahlstärke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr
Grouping of radiant intensity
I
e
in axial direction
at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
SFH
400
Strahlstärke
Radiant intensity
I
e min
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
e max
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
20
–
Wert
Value
SFH SFH SFH SFH
400-3 401-2 401-3 402
32
–
10
20
16
–
2.5
–
SFH SFH
402-2 402-3
2.5
–
4
–
mW/sr
mW/sr
Einheit
Unit
I
e typ.
300
320
120
190
40
40
40
mW/sr
Semiconductor Group
5
1998-04-16
TI技术论坛
京公网安备 11010802033920号
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