GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm)
GaAIAs Infrared Emitters (880 nm)
SFH 4580
SFH 4585
Chip position
4.5
7.5
3.9
5.5
2.7
2.3
2.05
R 1.95
2.7
2.4
(3.2)
(R 2.8)
(3.2)
6.0
5.4
GEO06960
14.7
13.1
Cathode
2.54 mm
spacing
4.5
3.9
7.7
7.1
7.4
2.05
R 1.95
4.8
4.4
2.7
2.4
Chip position
4.5
3.9
8.0
-0.1...0.1
3.7
3.3
4.8
4.4
(3.2)
(R 2.8)
(3.2)
6.0
5.4
GEO06961
15.5
14.7
Cathode
2.54 mm
spacing
4.5
3.9
7.7
7.1
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Semiconductor Group
-0.15...0..15
1
1998-11-12
SFH 4580
SFH 4585
Wesentliche Merkmale
Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
Für Oberflächenmontage geeignet
Gegurtet lieferbar
Gehäusegleich mit Fotodiode SFH 2500/
SFH 2505
q
Hohe Zuverlässigkeit
q
Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
Anwendungen
q
IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern
q
Gerätefernsteuerungen für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q
q
q
q
Features
Fabricated in a liquid phase epitaxy process
Suitable for surface mounting (SMT)
Available on tape and reel
Same package as photodiode SFH 2500/
SFH 2505
q
High reliability
q
Spectral match with silicon photodetectors
q
q
q
q
Applications
q
IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
tape recorders, dimmers
q
Remote control for steady and varying
intensity
Typ
Type
SFH 4580
SFH 4585
Bestellnummer
Ordering Code
on request
on request
Gehäuse
Package
5-mm-LED-Gehäuse (T 1
3
/
4
), klares violettes Epoxy-
Gießharz, Anschlüsse (SFH 4580 gebogen, SFH 4585
gerade) im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
’’),Kathodenkenn-
zeichnung: siehe Maßzeichnung.
5 mm LED package (T 1
3
/
4
), violet-colored epoxy res-
in, solder tabs (SFH 4580 bent, SFH 4585 straight)
lead spacing 2.54 mm (
1
/
10
’’), cathode marking: see
package outline.
Semiconductor Group
2
1998-11-12
SFH 4580
SFH 4585
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom,
t
p
= 10
µs,
D
= 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand, freie Beinchenlänge
max. 10 mm
Thermal resistance, lead length between
package bottom and PC-board max. 10 mm
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 55 ... + 100
100
5
100
2.5
200
375
Einheit
Unit
°C
°C
V
mA
A
mW
K/W
T
op
;
T
stg
T
j
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
R
thJA
Semiconductor Group
3
1998-11-12
SFH 4580
SFH 4585
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA
Spektrale Bandbreite bei 50 % von
I
rel
Spectral bandwidth at 50 % of
I
rel
I
F
= 100 m A
Abstrahlwinkel
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktive Chipfläche
Dimension of the active chip area
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip front to lens top
Schaltzeiten,
I
e
von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Switching times,
I
e
from 10 % to 90 % and
from 90 % to10 %,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Kapazität
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 5 V
Gesamtstrahlungsfluß
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 100 mA
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
880
Einheit
Unit
nm
∆λ
80
nm
ϕ
±
15
0.16
0.4
×
0.4
4.2 ... 4.8
0.6/0.5
Grad
deg.
mm
2
mm
mm
µs
A
L
×
B
L
×
W
H
t
r
,
t
f
C
o
25
pF
V
F
V
F
I
R
1.50
(≤
1.8)
3.00
(≤
3.8)
0.01
(≤
1)
V
V
µA
Φ
e
25
mW
TC
I
– 0.5
%/K
TC
V
–2
mV/K
Semiconductor Group
4
1998-11-12
SFH 4580
SFH 4585
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Temperaturkoeffizient von
λ,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
λ,
I
F
= 100 mA
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
Symbol
Symbol
Wert
Value
0.25
Einheit
Unit
nm/K
TC
λ
I
e min
≥
25
mW/sr
I
e typ
225
mW/sr
Radiation characteristics
I
rel
=
f
(ϕ)
40
30
20
ϕ
10
0
1.0
OHF00300
50
0.8
60
0.6
70
0.4
80
90
0.2
0
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
Semiconductor Group
5
1998-11-12
模拟与混合信号
京公网安备 11010802033920号
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