Schnelle GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode
High-Speed GaAlAs Infrared Emitter
SFH 4591
SFH 4592
Area not flat
0.6
0.4
9.0
8.2
7.8
7.5
2.54 mm
spacing
0.8
0.4
5.9
5.5
ø5.1
ø4.8
Anode
1.8
1.2
29.5
27.5
Chip position
GEX06626
SFH 4591
Area not flat
0.6
0.4
9.0
8.2
7.8
7.5
2.54 mm
spacing
0.8
0.4
5.9
5.5
Anode
SFH 4592
Approx. weight 0.2 g
GEX06984
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
Hohe Pulsleistung sowie hoher
Gesamtstrahlungsfluß
Φ
e
q
Sehr kurze Schaltzeiten (10 ns)
q
Geringe Vorwärtsspannung und
Leistungsaufnahme
q
Sehr hohe Langzeitstabilität
q
Gegurtet lieferbar
Anwendungen
q
Schnelle Datenübertragung mit
Übertragungsraten bis 100 Mbaud
(IR Tastatur, Joystick, Multimedia)
q
Analoge und digitale Hi-Fi Audio- und Video-
signalübertragung
q
Batteriebetriebene Geräte (geringe Strom-
aufnahme)
q
Anwendungen mit hohen Zuverlässigkeits-
ansprüchen bzw. erhöhten Anforderungen
q
Alarm- und Sicherungssysteme
q
IR Freiraumübertragung
Semiconductor Group
1
Features
q
High pulse power and high radiant flux
Φ
e
q
Very short switching times (10 ns)
q
Low forward voltage and power dissipation
q
Very high long-time stability
q
Available on tape and reel
Applications
q
High data transmission rate up to 100 Mbaud
(IR keyboard, Joystick, Multimedia)
q
Analog and digital Hi-Fi audio and video
signal transmission
q
Low power consumption (battery) equipment
q
Suitable for professional and high-reliability
applications
q
Alarm and safety equipment
q
IR free air transmission
1998-09-08
fex06626
1.8
1.2
29
27
ø5.1
ø4.8
4.8
4.2
Chip position
0.6
0.4
fex06260
5.7
5.1
0.6
0.4
SFH 4591
SFH 4592
Typ
Type
SFH 4591
SFH 4592
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P5059
Q62702-P5060
Gehäuse
Package
5 mm-LED-Gehäuse (T1
3
/
4
), klar, Anschlüsse im 2,54-mm
Raster, Anodenkennzeichnung: kurzer Anschluß
5-mm-LED package (T1
3
/
4
), clear, solder tabs 2.54-mm (
1
/
10
”),
anode marking: short lead
Grenzwerte
(T
A
= 25
°C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlaβstrom
Forward current
Stoβstrom,
t
p
=
10
µs,
D
= 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung,
freie Beinchenlänge max. 10 mm
Thermal resistance junction - ambient,
lead length between package bottom and
PCB max. 10 mm
Symbol
Symbol
T
op
;
T
stg
V
R
I
F
(DC)
I
FSM
P
tot
R
thJA
Wert
Value
– 40 ... + 100
3
100
2
200
375
Einheit
Unit
°
C
V
mA
A
mW
K/W
Semiconductor Group
2
1998-09-08
SFH 4591
SFH 4592
Kennwerte
(T
A
= 25
°
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength of peak emission
I
F
= 100 mA,
t
P
= 20 ms
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
max
Spectral bandwidth at 50% of
I
max
I
F
= 100 mA,
t
P
= 20 ms
Abstrahlwinkel
Half angle
SFH 4591
SFH 4592
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
880
Einheit
Unit
nm
∆λ
25
nm
ϕ
±
7
±
18
A
L
×
B
L
×
W
0.09
0.3
×
0.3
10
Grad
deg.
mm
2
mm
ns
Schaltzeiten,
I
e
von 10% auf 90% und von
t
r
,
t
f
90% auf 10%, bei
I
F
= 100 mA,
t
P
= 20 ms,
R
L
= 50
Ω
Switching times,
I
e
from 10% to 90% and from
90% to10%,
I
F
= 100 mA,
t
P
= 20 ms,
R
L
= 50
Ω
Kapazität
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
Durchlaβspannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 3 V
Gesamtstrahlungsfluβ
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
C
o
35
pF
V
F
V
F
I
R
1.5
(≤
2.0)
3.0
(≤
3.8)
0.01
(≤
10)
V
V
µA
Φ
e
25
mW
TC
I
– 0.44
%/K
Semiconductor Group
3
1998-09-08
SFH 4591
SFH 4592
Kennwerte
(T
A
= 25
°
C)
Characteristics
(cont’d)
Bezeichnung
Description
Temperaturkoeffizient von
V
F
, I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
, I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
λ,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
λ,
I
F
= 100 mA
Strahlstärke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr
Radiant intensity
I
e
in axial direction
at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr
Bezeichnung
Description
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
Lötbedingungen
Soldering Conditions
Tauch-, Schwall- und Schlepplötung
Dip, wave and drag soldering
Lötbad-
temperatur
Maximal
zulässige
Lötzeit
Max. perm.
soldering
time
10 s
Abstand
Lötstelle –
Gehäuse
Distance
between
solder joint
and case
Kolbenlötung (mit 1,5-mm-Kolbenspitze)
Iron soldering (with 1.5-mm-bit)
Temperatur
des Kolbens
Maximale
zulässige
Lötzeit
Abstand
Lötstelle –
Gehäuse
Distance
between
solder joint
and case
Symbol
SFH 4591
I
e min
I
e typ
I
e typ
40
80
600
Werte
Values
SFH 4592
25
40
300
mW/sr
Einheit
Unit
Symbol
Symbol
TC
V
TC
λ
Wert
Value
–2
+ 0.13
Einheit
Unit
mV/K
nm/K
mW/sr
Temperature
of the
soldering
bath
260
°
C
Temperature Max. permissi-
of the solder- ble soldering
ing iron
time
300
°
C
3s
≥
1.5 mm
≥
1.5 mm
Semiconductor Group
4
1998-09-08
SFH 4591
SFH 4592
I
Relative spectral emission
I
rel
=
f
(λ)
100
%
Ι
rel
90
80
OHF00366
Radiant intensity
e
---------------- =
f
(
I
F
)
-
Single pulse,
t
p
= 20
µ
s
Ι
e (100 mA)
1
I
e
100mA
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(T
A
)
120
OHF00359
Ι
e
10
2
OHF00363
Ι
F
mA
100
10
70
60
50
40
30
80
R
thjA
= 375 K/W
10
0
60
40
10
-1
20
10
0
700
750
800
850
900
nm
λ
1000
20
10
-2 -2
10
10
-1
10
0
Ι
F
A 10
1
0
0
20
40
60
80
100 ˚C 120
T
A
Forward current
I
F
=
f
(V
F
)
single pulse,
t
p
= 20
µs
10
1
OHF00362
Radiation characteristics
I
rel
=
f
(ϕ),
SFH 4591
40˚
30˚
20˚
10˚
0˚
1.0
OHF00365
Ι
F
A
ϕ
50˚
0.8
10
0
60˚
0.6
70˚
10
-1
0.4
80˚
90˚
0.2
0
10
-2
0
0.5
1
1.5
2
2.5 V 3
V
F
100˚
1.0
0.8
0.6
0.4
0˚
20˚
40˚
60˚
80˚
100˚
120˚
Permissible pulse power
Duty cycle
D
= parameter,
T
A
= 25
°C
10
1
OHF00361
Radiation characteristics
I
rel
=
f
(ϕ),
SFH 4592
40˚
30˚
20˚
ϕ
10˚
0˚
1.0
OHR00397
Ι
F
A
5
t
p
D=
t
p
T
T
D = 0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
Ι
F
50˚
0.8
60˚
0.6
10
0
70˚
0.4
5
80˚
90˚
0.2
0
10
-1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
s 10
2
t
p
100˚
1.0
0.8
0.6
0.4
0˚
20˚
40˚
60˚
80˚
100˚
120˚
Semiconductor Group
5
1998-09-08
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
