GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm)
GaAlAs Infrared Emitters (880 nm)
SFH 480
SFH 481
SFH 482
2.54mm
spacing
ø0.45
ø4.8
ø4.6
1
0.9 .1
Chip position (2.7)
Cathode (SFH 480)
Anode (SFH 216, SFH 231,
SFH 400)
Radiant
Sensitive area
ø5.6
ø5.3
5.3
14.5
5.0
12.5
7.4
6.6
Approx. weight 0.5 g
GEO06314
ø0.45
(2.7)
Chip position
Anode = SFH 481
Cathode = SFH 401
(package)
1.1 .9
0
2.54 mm
spacing
welded
14.5
12.5
Approx. weight 0.35 g
Chip position (2.7)
ø0.45
5.5
5.0
14.5
12.5
5.3
5.0
ø5.6
ø5.3
GET06013
Approx. weight 0.5 g
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Semiconductor Group
1
1998-04-16
fet06092
Cathode (SFH 402, BPX 65)
Anode (SFH 482)
2.54
spacing
ø4.8
ø4.6
Radiant sensitive area
1.1 .9
0
1
0.9 .1
fet06091
5.3
5.0
6.4
5.6
ø4.8
ø4.6
1
0.9 .1
ø5.6
ø5.3
GET06091
glass
lens
fet06090
1.1 .9
0
SFH 480,
SFH 481, SFH 482
Wesentliche Merkmale
q
Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren
q
Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden
verbunden
q
Hohe Zuverlässigkeit
q
Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
q
Hermetisch dichtes Metallgehäuse
q
SFH 480: Gehäusegleich mit SFH 216
q
SFH 481: Gehäusegleich mit BPX 43,
BPY 63
q
SFH 482: Gehäusegleich mit BPX 38,
BPX 65
Anwendungen
q
Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q
IR-Gerätefernsteuerungen
Features
q
GaAIAs infrared emitting diode, fabricated in
a liquid phase epitaxy process
q
Anode is electrically connected to the case
q
High reliability
q
Matches all Si-Photodetectors
q
Hermetically sealed package
q
SFH 480: Same package as SFH 216
q
SFH 481: Same package as BPX 43,
BPY 63
q
SFH 482: Same package as BPX 38,
BPX 65
Applications
q
Photointerrupters
q
IR remote control of various equipmet
Typ
Type
SFH 480-2
SFH 480-3
SFH 481
SFH 481-1
SFH 481-2
SFH 482
SFH 482-1
SFH 482-2
SFH 482-3
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q1662
Q62703-Q1663
Q62703-Q1088
Q62703-Q1664
Q62703-Q1665
Q62703-Q1089
Q62703-Q1667
Q62703-Q1668
Q62703-Q1669
Gehäuse
Package
18 A3 DIN 41876 (TO-18), Anschlüsse im 2.54-mm-
Raster (
1
/
10
’’), Kathodenkennzeichnung: Nase am Ge-
häuseboden
18 A3 DIN 41876 (TO-18), lead spacing 2.54 mm
(
1
/
10
’’), cathode marking: projection at package
SFH 482-M E7800 Q62703-Q2186
Semiconductor Group
2
1998-04-16
SFH 480,
SFH 481, SFH 482
Grenzwerte
(
T
C
= 25
°C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
SFH 481:
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
SFH 480, SFH 482:
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom,
t
p
= 10
µs,
D
= 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA
Spektrale Bandbreite bei 50 % von
I
max
Spectral bandwidth at 50 % of
I
max
I
F
= 100 mA
Abstrahlwinkel
Half angle
SFH 480
SFH 481
SFH 482
Aktive Chipfläche
Active chip area
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
880
Einheit
Unit
nm
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 55 ... + 100
Einheit
Unit
°C
T
op
;
T
stg
T
op
;
T
stg
– 55 ... + 125
°C
T
j
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
R
thJA
R
thJC
100
5
200
2.5
470
450
160
°C
V
mA
A
mW
K/W
K/W
∆λ
80
nm
ϕ
ϕ
ϕ
±
6
±
15
±
30
0.16
Grad
deg.
mm
2
A
Semiconductor Group
3
1998-04-16
SFH 480,
SFH 481, SFH 482
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Abmessungen der aktive Chipfläche
Dimension of the active chip area
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip front to lens top
SFH 480
SFH 481
SFH 482
Schaltzeiten,
I
e
von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Switching times,
I
e
from 10 % to 90 % and
from 90 % to10 %,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Kapazität
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 5 V
Gesamtstrahlungsfluß
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
λ,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
λ,
I
F
= 100 mA
Symbol
Symbol
Wert
Value
0.4
×
0.4
Einheit
Unit
mm
L
×
B
L
×
W
H
H
H
t
r
,
t
f
4.0 ... 4.8
2.8 ... 3.7
2.1 ... 2.7
0.6/0.5
mm
mm
mm
µs
C
o
25
pF
V
F
V
F
I
R
1.50
(≤
1.8)
3.00
(≤
3.8)
0.01
(≤
1)
V
V
µA
Φ
e
12
mW
TC
I
– 0.5
%/K
TC
V
TC
λ
–2
+ 0.25
mV/K
nm/K
Semiconductor Group
4
1998-04-16
SFH 480,
SFH 481, SFH 482
Gruppierung der Strahlstärke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr
Grouping of radiant intensity
I
e
in axial direction
at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
SFH
480-2
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
e min
I
e max
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
Bezeichnung
Description
SFH
480-3
Wert
Value
SFH
481
SFH
481-1
SFH
481-2
Einheit
Unit
40
–
63
–
10
–
10
20
16
–
mW/sr
mW/sr
I
e typ.
Symbol
Symbol
540
630
220
Wert
Value
130
220
mW/sr
Einheit
Unit
SFH
482
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
e min
I
e max
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
1)
SFH
482-1
SFH
482-2
SFH
482-3
SFH
482-M
E 7800
1)
3.15
–
3.15
6.3
5
10
8
–
1.6 ... 3.2
–
mW/sr
mW/sr
I
e typ.
–
40
65
80
–
mW/sr
1)
Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil
(Durchmesser der Lochblende: 2.0 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 5.4 mm). Dadurch wird
sichergestellt, daβ bei der Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die
direkt von der Chipoberfläche austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung)
wird dagegen nicht bewertet. Diese Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläche über
Zusatzoptiken störend (z.B. Lichtschranken groβer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen
diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden unterdrückt. Durch dieses, der Anwendung entsprechende
Meβverfahren ergibt sich für den Anwender eine besser verwertbare Gröβe. Diese Lochblendenmessung ist
gekennzeichnet durch den Eintrag “E 7800”, der an die Typenbezeichnung angehängt ist.
An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle
(diameter of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4 mm). This ensures that solely the
radiation in axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the
radiant intensity. Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These
reflections impair the projection of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection
switches). In respect of the application of the component, these reflections are generally suppressed by
apertures as well. This measuring procedure corresponding with the application provides more useful values.
This aperture measurement is denoted by “E 7800” added to the type designation.
Semiconductor Group
5
1998-04-16
京公网安备 11010802033920号
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