GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880nm)
GaAIAs Infrared Emitter (880 nm)
SFH 487
Area not flat
0.7
0.4
0.6
0.4
5.2
4.5
2.54 mm
spacing
0.8
0.4
4.1
3.9
4.0
3.6
Approx. weight 0.3 g
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
q
Hohe Zuverlässigkeit
q
Hohe Impulsbelastbarkeit
q
Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
q
Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 409
Anwendungen
q
IR-Fernsteuerung von Fernseh-, Rundfunk-
und Videogeräten, Lichtdimmern
q
Lichtschranken bis 500 kHz
Features
q
Fabricated in a liquid phase epitaxy process
q
High reliability
q
High pulse handling capability
q
Good spectral match to silicon
photodetectors
q
Same package as SFH 309, SFH 409
Applications
q
IR remote control for hifi and TV sets, video
tape recorder, dimmers
q
Light-reflection switches (max. 500 kHz)
Typ
Type
SFH 487
SFH 487-2
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q1095
Q62703-Q2174
Gehäuse
Package
3-mm-LED-Gehäuse (T1), klares violettes Epoxy-
Gieβharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
’’),
Anodenkennzeichnung: kürzerer Anschluβ
3 mm LED package (T1), violet-colored transparent
epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm (
1
/
10
’’),
anode marking: short lead
Semiconductor Group
1
1997-11-01
fex06250
1.8
1.2
29
6.3
5.9
27
Cathode (SFH 409)
Anode (SFH 487)
ø3.1
ø2.9
(3.5)
Chip position
0.6
0.4
GEX06250
SFH 487
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlaβstrom
Forward current
Stoβstrom,
τ ≤
10
µs
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand, freie Beinchenlänge
max. 10 mm
Thermal resistance, lead length between
package bottom and PC-board max. 10 mm
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 55 ... + 100
100
5
100
2.5
200
375
Einheit
Unit
°C
°C
V
mA
A
mW
K/W
T
op
;
T
stg
T
j
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
R
thJA
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA
Spektrale Bandbreite bei 50 % von
I
max
,
I
F
= 100 mA
Spectral bandwidth at 50 % of
I
max
Abstrahlwinkel
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip front to lens top
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
880
Einheit
Unit
nm
∆λ
80
nm
ϕ
±
20
0.16
0.4
×
0.4
2.6
Grad
deg.
mm
2
mm
mm
A
L
×
B
L
×
W
H
Semiconductor Group
2
1997-11-01
SFH 487
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Schaltzeiten,
I
e
von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Switching times,
I
e
from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Kapazität
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
Durchlaβspannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 5 V
Gesamtstrahlungsfluβ
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
V
F
, I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
, I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
λ
peak
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
λ
peak
,
I
F
= 100 mA
Symbol
Symbol
Wert
Value
0.6/0.5
Einheit
Unit
µs
t
r
,
t
f
C
o
25
pF
V
F
I
R
1.5
(<
1.8)
3.0
(<
3.8)
0.01
(≤
1)
V
µA
Φ
e
25
mW
TC
I
– 0.5
%/K
TC
V
TC
λ
–2
0.25
mV/K
nm/K
Semiconductor Group
3
1997-11-01
SFH 487
Strahlstärke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr
Grouping of radiant intensity
I
e
in axial direction
at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr
Bezeichnung
Description
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
Symbol
Wert
Value
SFH 487
SFH 487-2
Einheit
Unit
I
e
> 12.5
> 20
mW/sr
I
e typ.
270
270
mW/sr
Radiation characteristics
I
rel
=
f
(ϕ)
40
30
20
ϕ
10
0
1.0
OHR01895
50
0.8
60
0.6
70
0.4
80
90
0.2
0
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
Semiconductor Group
4
1997-11-01
SFH 487
Relative spectral emission
I
rel
=
f
(λ)
100
Ι
rel
%
80
OHR00877
Radiant intensity
I
e
=
f
(I
F
)
I
e
100 mA
OHR00878
Single pulse,
t
p
= 20
µ
s
10
2
Ι
e
Ι
e (100mA)
10
1
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(T
A
)
125
OHR00880
Ι
F
mA
100
60
10
0
75
40
10
-1
50
20
10
-2
25
0
750
10
-3
800
850
900
950 nm 1000
λ
10
0
10
1
10
2
10
3
mA 10
4
Ι
F
0
0
20
40
60
80 ˚C 100
T
Forward current,
I
F
=
f
(V
F
)
Single pulse,
t
p
= 20
µ
s
10
1
OHR00881
Permissible pulse handling capability
I
F
=
f
(
τ
),
T
A
= 25
o
C,
duty cycle
D
= parameter
10
4
mA
OHR00886
Forward current versus lead length
between the package bottom and the
PC-board
I
F
=
f
(
I
),
T
A
= 25
o
C
120
mA
OHR00949
Ι
F
A
Ι
F
0
10
D
= 0.005
0.01
0.02
0.05
10
3
0.1
0.2
Ι
F
100
80
10
-1
0.5
10
2
DC
60
40
10
-2
t
p
D
=
T
10
-3
t
p
Ι
F
20
0
1
2
3
4
5
6
V
V
F
8
T
10
1 -5
10 10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
0
10
1
s 10
2
t
p
0
5
10
15
20
25 mm 30
Semiconductor Group
5
1997-11-01
京公网安备 11010802033920号
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