SMALL SIGNAL, FET
小信号, 场效应晶体管
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | ON Semiconduc |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数 | 3 |
| 制造商包装代码 | 318BA |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 1 week |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 1.6 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 1.6 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.303 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-236 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码 | e6 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.9 W |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin/Bismuth (Sn/Bi) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| CPH3360-TL-H | CPH3360 | |
|---|---|---|
| 描述 | SMALL SIGNAL, FET | SMALL SIGNAL, FET |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) |
| Reach Compliance Code | compli | compli |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 1.6 A | 1.6 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.9 W | 0.9 W |
| 表面贴装 | YES | YES |
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