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MTB33N10ET4

产品描述N−Channel Power MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小273KB,共11页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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MTB33N10ET4概述

N−Channel Power MOSFET

MTB33N10ET4规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明CASE 418B-03, D2PAK-3
针数3
制造商包装代码CASE 418B-03
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)545 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)33 A
最大漏极电流 (ID)33 A
最大漏源导通电阻0.06 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)99 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

MTB33N10ET4相似产品对比

MTB33N10ET4 MTB33N10E
描述 N−Channel Power MOSFET N−Channel Power MOSFET
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美)
包装说明 CASE 418B-03, D2PAK-3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 3
制造商包装代码 CASE 418B-03 CASE 418B-03
Reach Compliance Code _compli _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas) 545 mJ 545 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V 100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 33 A 33 A
最大漏极电流 (ID) 33 A 33 A
最大漏源导通电阻 0.06 Ω 0.06 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e0 e0
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 235
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 2.5 W 2.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 99 A 99 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 30
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

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