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NTMKE4894NT1G

产品描述Single N−Channel Power MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小124KB,共6页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
标准
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NTMKE4894NT1G概述

Single N−Channel Power MOSFET

NTMKE4894NT1G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明6.30 X 4.90 MM, LEAD FREE, CASE 145AB-01, ICEPAK-3
针数3
制造商包装代码CASE 145AB-01
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)577 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压25 V
最大漏极电流 (ID)33 A
最大漏源导通电阻0.0024 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-XBCC-N3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)250 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

NTMKE4894NT1G相似产品对比

NTMKE4894NT1G NTMKE4894N NTMKE4894NT3G
描述 Single N−Channel Power MOSFET Single N−Channel Power MOSFET Single N−Channel Power MOSFET
是否Rohs认证 符合 - 符合
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) - ON Semiconductor(安森美)
包装说明 6.30 X 4.90 MM, LEAD FREE, CASE 145AB-01, ICEPAK-3 - 6.30 X 4.90 MM, LEAD FREE, CASE 145AB-01, ICEPAK-3
针数 3 - 3
制造商包装代码 CASE 145AB-01 - CASE 145AB-01
Reach Compliance Code unknown - compli
ECCN代码 EAR99 - EAR99
雪崩能效等级(Eas) 577 mJ - 577 mJ
外壳连接 DRAIN - DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 25 V - 25 V
最大漏极电流 (ID) 33 A - 33 A
最大漏源导通电阻 0.0024 Ω - 0.0024 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-XBCC-N3 - R-XBCC-N3
元件数量 1 - 1
端子数量 3 - 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE - ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 UNSPECIFIED - UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER - CHIP CARRIER
极性/信道类型 N-CHANNEL - N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 250 A - 250 A
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
表面贴装 YES - YES
端子形式 NO LEAD - NO LEAD
端子位置 BOTTOM - BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING - SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON - SILICON

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