电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

SFPB-59

产品描述0.7 A, 90 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小35KB,共2页
制造商SANKEN
官网地址http://www.sanken-ele.co.jp/en/
下载文档 选型对比 全文预览

SFPB-59概述

0.7 A, 90 V, SILICON, SIGNAL DIODE

文档预览

下载PDF文档
Schottky Barrier Diodes (Surface Mount)
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Type No.
V
RM
(V)
I
F (AV)
(A)
I
FSM
(A)
50Hz
Half-cycle Sinewave
Single Shot
60V, 90V
Others
Rth (j- )
Mass
Fig.
(°C/ W)
(g)
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Tstg
(°C)
max
V
F
(V)
I
F
(A)
I
R
(mA)
V
R
= V
RM
max
I
R
(H)
(mA)
V
R
= V
RM
Ta =100°C max
Tj
(°C)
t
rr
(ns)
I
F
/
I
RP
(mA)
SFPB-56
SFPB-66
SFPB-76
SFPB-59
90
60
0.7
2.0
2.0
0.7
10
25
40
10
–40 to +150
0.62
0.69
0.62
0.7
2.0
2.0
0.7
1.00
1.0
2.00
1.00
2.0
7.5
15
20
5
10
100
100/100
20.0
0.072
A
0.81
1.5
40
1.5
SFPB-69
*
*
Under development
SFPB-56
1.0
Ta—I
F(AV)
Derating
20
10
V
F
—I
F
Characteristics
(Typical)
20
10
V
R
—I
R
Characteristics
(Typical)
I
FSM
(A)
10
I
FMS
Rating
I
FSM
(A)
Average Forward Current I
F (AV)
(A)
Forward Current I
F
(A)
0.8
1
100ºC
Peak Forward Surge Current
t 1.6 P.C.B
Solder Land
=
3.0 35µmCu
Reverse Current I
R
(mA)
T
a
= 125ºC
1
8
20ms
0.6
6
0.1
0.1
60ºC
0.4
4
0.2
0.01
T
a
= 125ºC
100ºC
60ºC
25ºC
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.01
25ºC
2
0
0
25
40 50
75
100
125
0.001
0.001
0.0005
10
30
50
70
90
0
1
5
10
50
Ambient Temperature Ta (°C)
Forward Voltage V
F
(V)
Reverse Voltage
V
R
(V)
Overcurrent Cycles
SFPB-66
2.0
T —I
F(AV)
Characteristics
Tj =125ºC
V
R
=60V
V
F
—I
F
Characteristics
(Typical)
50
20
10
10
V
R
—I
R
Characteristics
(Typical)
I
FSM
(A)
25
I
FMS
Rating
I
FSM
(A)
Average Forward Current I
F (AV)
(A)
125ºC
100ºC
Reverse Current I
R
(mA)
t
T
1.0
1
1
Peak Forward Surge Current
1.5
Forward Current I
F
(A)
20
20ms
15
t /T = 1/6
t /T= 1/ 3
60ºC
0.1
0.1
10
0.5
t /T = 1/2
Sinewave
D.C.
0.01
0
0.001
125
T
a
= 125ºC
100ºC
60ºC
25ºC
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
0.01
25ºC
5
0.001
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
50
75
100
0
1
5
10
50
Lead Temperature T (°C)
Forward Voltage V
F
(V)
Reverse Voltage
V
R
(V)
Overcurrent Cycles
SFPB-76
2.0
Ta—I
F(AV)
Derating
30
10
V
F
—I
F
Characteristics
(Typical)
50
10
V
R
—I
R
Characteristics
(Typical)
I
FSM
(A)
40
I
FMS
Rating
I
FSM
(A)
Average Forward Current I
F (AV)
(A)
Forward Current I
F
(A)
1.6
1
1.2
1
60ºC
0.1
25ºC
Peak Forward Surge Current
t 1.6 P.C.B
Solder Land
=
10 35µmCu
Reverse Current I
R
(mA)
T
a
= 125ºC
100ºC
20ms
30
20
0.8
0.1
0.4
0.01
T
a
= 125ºC
100ºC
60ºC
25ºC
0.01
10
0
0
25 45 50
75
100
125
150
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.001
0
20
40
60
80
0
1
5
10
50
Ambient Temperature Ta (°C)
Forward Voltage V
F
(V)
Reverse Voltage
V
R
(V)
Overcurrent Cycles
External Dimensions
(Unit: mm)
Flammability:
UL94V-0 or Equivalent
Fig.
A
4.5
±0.2
2.05
±0.2
2.6
±0.2
1.35
±0.4
2.0min
5.1
–0.1
+0.4
1.35
±0.4
1.1
±0.2
1.5
±0.2
98
0.05

SFPB-59相似产品对比

SFPB-59 SFPB-69 SFPB-66 SFPB-56 SFPB-76
描述 0.7 A, 90 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE 2 A, SILICON, RECTIFIER DIODE 0.7 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE 2 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
是否无铅 - 不含铅 不含铅 不含铅 -
是否Rohs认证 - 符合 符合 不符合 不符合
厂商名称 - SANKEN SANKEN SANKEN SANKEN
包装说明 - R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2
针数 - 2 2 2 2
Reach Compliance Code - unknow unknow unknow unknow
应用 - GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE - GENERAL PURPOSE
配置 - SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 - SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 - R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流 - 40 A 25 A 10 A 40 A
元件数量 - 1 1 1 1
相数 - 1 1 - 1
端子数量 - 2 2 2 2
最高工作温度 - 150 °C 150 °C 150 °C 125 °C
最低工作温度 - -40 °C -40 °C -40 °C -
最大输出电流 - 1.5 A 2 A 0.7 A 2 A
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大反向恢复时间 - 0.1 µs 0.1 µs 0.1 µs 0.1 µs
表面贴装 - YES YES YES YES
技术 - SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 - C BEND C BEND C BEND C BEND
端子位置 - DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 732  2550  1489  1067  1101  41  44  47  27  51 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved