Nanopower, 480 nA, 1.6 V RRIO Dual, CMOS input op amp 8-VSSOP -40 to 125
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | Texas Instruments |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
包装说明 | TSSOP, |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 6 weeks |
Samacsys Descripti | Nanopower, 480 nA, 1.6 V RRIO Dual, CMOS input op am |
放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
最大平均偏置电流 (IIB) | 0.000001 µA |
最小共模抑制比 | 73 dB |
标称共模抑制比 | 101 dB |
频率补偿 | YES |
最大输入失调电压 | 3000 µV |
JESD-30 代码 | S-PDSO-G8 |
长度 | 3 mm |
低-偏置 | YES |
低-失调 | NO |
微功率 | YES |
湿度敏感等级 | 1 |
功能数量 | 2 |
端子数量 | 8 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSSOP |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
包装方法 | TR |
功率 | NO |
可编程功率 | NO |
座面最大高度 | 1.1 mm |
标称压摆率 | 0.0037 V/us |
最大压摆率 | 0.0017 mA |
供电电压上限 | 6 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | AUTOMOTIVE |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.65 mm |
端子位置 | DUAL |
标称均一增益带宽 | 8 kHz |
最小电压增益 | 35481.339 |
宽带 | NO |
宽度 | 3 mm |
LPV542DGKR | LPV542DGKT | LPV542DNXR | LPV542DNXT | |
---|---|---|---|---|
描述 | Nanopower, 480 nA, 1.6 V RRIO Dual, CMOS input op amp 8-VSSOP -40 to 125 | Nanopower, 480 nA, 1.6 V RRIO Dual, CMOS input op amp 8-VSSOP -40 to 125 | Nanopower, 480 nA, 1.6 V RRIO Dual, CMOS input op amp 8-X1SON -40 to 125 | Nanopower, 480 nA, 1.6 V RRIO Dual, CMOS input op amp 8-X1SON -40 to 125 |
Brand Name | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
包装说明 | TSSOP, | TSSOP, | HVSON, | HVSON, |
Reach Compliance Code | compli | compliant | compliant | compliant |
Factory Lead Time | 6 weeks | 6 weeks | 6 weeks | 6 weeks |
放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK |
最大平均偏置电流 (IIB) | 0.000001 µA | 0.000001 µA | 0.000001 µA | 0.000001 µA |
最小共模抑制比 | 73 dB | 73 dB | 73 dB | 73 dB |
标称共模抑制比 | 101 dB | 101 dB | 101 dB | 101 dB |
频率补偿 | YES | YES | YES | YES |
最大输入失调电压 | 3000 µV | 3000 µV | 3000 µV | 3000 µV |
JESD-30 代码 | S-PDSO-G8 | S-PDSO-G8 | S-PDSO-N8 | S-PDSO-N8 |
长度 | 3 mm | 3 mm | 3 mm | 3 mm |
低-偏置 | YES | YES | YES | YES |
低-失调 | NO | NO | NO | NO |
微功率 | YES | YES | YES | YES |
湿度敏感等级 | 1 | 1 | 1 | 1 |
功能数量 | 2 | 2 | 2 | 2 |
端子数量 | 8 | 8 | 8 | 8 |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSSOP | TSSOP | HVSON | HVSON |
封装形状 | SQUARE | SQUARE | SQUARE | SQUARE |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE |
包装方法 | TR | TR | TR | TR |
功率 | NO | NO | NO | NO |
可编程功率 | NO | NO | NO | NO |
座面最大高度 | 1.1 mm | 1.1 mm | 0.5 mm | 0.5 mm |
标称压摆率 | 0.0037 V/us | 0.0037 V/us | 0.0037 V/us | 0.0037 V/us |
最大压摆率 | 0.0017 mA | 0.0017 mA | 0.0017 mA | 0.0017 mA |
供电电压上限 | 6 V | 6 V | 6 V | 6 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V |
表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | AUTOMOTIVE | AUTOMOTIVE | AUTOMOTIVE | AUTOMOTIVE |
端子形式 | GULL WING | GULL WING | NO LEAD | NO LEAD |
端子节距 | 0.65 mm | 0.65 mm | 0.5 mm | 0.5 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
标称均一增益带宽 | 8 kHz | 8 kHz | 8 kHz | 8 kHz |
最小电压增益 | 35481.339 | 35481.339 | 35481.339 | 35481.339 |
宽带 | NO | NO | NO | NO |
宽度 | 3 mm | 3 mm | 3 mm | 3 mm |
Samacsys Description | - | LPV542DGKT Texas Instruments, CMOS, Op Amp, RRIO, 8kHz, 8-Pin VSSOP | Nanopower, 480 nA, 1.6 V RRIO Dual, CMOS input op amp | Nanopower, 480 nA, 1.6 V RRIO Dual, CMOS input op amp |
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