电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

LPV542DGKR

产品描述Nanopower, 480 nA, 1.6 V RRIO Dual, CMOS input op amp 8-VSSOP -40 to 125
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小1MB,共30页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
敬请期待 详细参数 选型对比

LPV542DGKR在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
LPV542DGKR - - 点击查看 点击购买

LPV542DGKR概述

Nanopower, 480 nA, 1.6 V RRIO Dual, CMOS input op amp 8-VSSOP -40 to 125

LPV542DGKR规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
包装说明TSSOP,
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time6 weeks
Samacsys DescriptiNanopower, 480 nA, 1.6 V RRIO Dual, CMOS input op am
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.000001 µA
最小共模抑制比73 dB
标称共模抑制比101 dB
频率补偿YES
最大输入失调电压3000 µV
JESD-30 代码S-PDSO-G8
长度3 mm
低-偏置YES
低-失调NO
微功率YES
湿度敏感等级1
功能数量2
端子数量8
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法TR
功率NO
可编程功率NO
座面最大高度1.1 mm
标称压摆率0.0037 V/us
最大压摆率0.0017 mA
供电电压上限6 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
标称均一增益带宽8 kHz
最小电压增益35481.339
宽带NO
宽度3 mm

LPV542DGKR相似产品对比

LPV542DGKR LPV542DGKT LPV542DNXR LPV542DNXT
描述 Nanopower, 480 nA, 1.6 V RRIO Dual, CMOS input op amp 8-VSSOP -40 to 125 Nanopower, 480 nA, 1.6 V RRIO Dual, CMOS input op amp 8-VSSOP -40 to 125 Nanopower, 480 nA, 1.6 V RRIO Dual, CMOS input op amp 8-X1SON -40 to 125 Nanopower, 480 nA, 1.6 V RRIO Dual, CMOS input op amp 8-X1SON -40 to 125
Brand Name Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
包装说明 TSSOP, TSSOP, HVSON, HVSON,
Reach Compliance Code compli compliant compliant compliant
Factory Lead Time 6 weeks 6 weeks 6 weeks 6 weeks
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER
架构 VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB) 0.000001 µA 0.000001 µA 0.000001 µA 0.000001 µA
最小共模抑制比 73 dB 73 dB 73 dB 73 dB
标称共模抑制比 101 dB 101 dB 101 dB 101 dB
频率补偿 YES YES YES YES
最大输入失调电压 3000 µV 3000 µV 3000 µV 3000 µV
JESD-30 代码 S-PDSO-G8 S-PDSO-G8 S-PDSO-N8 S-PDSO-N8
长度 3 mm 3 mm 3 mm 3 mm
低-偏置 YES YES YES YES
低-失调 NO NO NO NO
微功率 YES YES YES YES
湿度敏感等级 1 1 1 1
功能数量 2 2 2 2
端子数量 8 8 8 8
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSSOP TSSOP HVSON HVSON
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
包装方法 TR TR TR TR
功率 NO NO NO NO
可编程功率 NO NO NO NO
座面最大高度 1.1 mm 1.1 mm 0.5 mm 0.5 mm
标称压摆率 0.0037 V/us 0.0037 V/us 0.0037 V/us 0.0037 V/us
最大压摆率 0.0017 mA 0.0017 mA 0.0017 mA 0.0017 mA
供电电压上限 6 V 6 V 6 V 6 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE
端子形式 GULL WING GULL WING NO LEAD NO LEAD
端子节距 0.65 mm 0.65 mm 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
标称均一增益带宽 8 kHz 8 kHz 8 kHz 8 kHz
最小电压增益 35481.339 35481.339 35481.339 35481.339
宽带 NO NO NO NO
宽度 3 mm 3 mm 3 mm 3 mm
Samacsys Description - LPV542DGKT Texas Instruments, CMOS, Op Amp, RRIO, 8kHz, 8-Pin VSSOP Nanopower, 480 nA, 1.6 V RRIO Dual, CMOS input op amp Nanopower, 480 nA, 1.6 V RRIO Dual, CMOS input op amp

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 328  639  684  958  1231 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved