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SGH10N60RUFD

产品描述Short Circuit Rated IGBT
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小597KB,共8页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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SGH10N60RUFD概述

Short Circuit Rated IGBT

SGH10N60RUFD规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TO-3P
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性LOW CONDUCTION LOSS, HIGH SPEED SWITCHING
最大集电极电流 (IC)16 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间(tf)220 ns
门极发射器阈值电压最大值8 V
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)75 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)284 ns
标称接通时间 (ton)49 ns
Base Number Matches1

 
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