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SGM2016AM: 产品描述GaAs N-channel Dual-Gate MES FET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小45KB，共5页; 制造商SONY(索尼); 官网地址http://www.sony.co.jp

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SGM2016AM概述

GaAs N-channel Dual-Gate MES FET

SGM2016AM规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SONY(索尼)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数	4
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
其他特性	LOW NOISE
外壳连接	SOURCE
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大漏极电流 (Abs) (ID)	0.055 A
最大漏极电流 (ID)	0.055 A
FET 技术	METAL SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	0.04 pF
最高频带	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码	R-PDSO-G4
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	4
工作模式	DUAL GATE, DEPLETION MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	0.15 W
最小功率增益 (Gp)	17 dB
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	GALLIUM ARSENIDE

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SGM2016AM/AP

GaAs N-channel Dual-Gate MES FET

Description

The SGM2016AM/AP is an N-channel dual-gate

GaAs MES FET for UHF-band low-noise amplification.

This FET is suitable for a wide range of applications

including UHF TV tuners, cellular/cordless phone,

and DBS IF amplifiers.

Features

•

Low voltage operation

Low noise NF = 1.2dB (typ.) at 900MHz

High gain Ga = 21dB (typ.) at 900MHz

High stability

SGM2016AM

SGM2016AP

•

Built-in gate protection diode

Application

UHF-band high-frequency amplifier, mixer, and oscillator

Structure

GaAs, N-channel, dual-gate metal semiconductor field-effect transistor

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

•

Drain to source voltage

DSX

•

Gate 1 to source voltage

G1S

–5

•

Gate 2 to source voltage

G2S

–5

•

Drain current

•

Allowable power dissipation P

150

•

Channel temperature

Tch

150

•

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

°C

Sony reserves the right to change products and specifications without prior notice. This information does not convey any license by

any implication or otherwise under any patents or other right. Application circuits shown, if any, are typical examples illustrating the

operation of the devices. Sony cannot assume responsibility for any problems arising out of the use of these circuits.

–1–

E96Y10-PS

SGM2016AM相似产品对比

	SGM2016AM	SGM2016AP
描述	GaAs N-channel Dual-Gate MES FET	GaAs N-channel Dual-Gate MES FET
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	SONY(索尼)	SONY(索尼)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数	4	4
Reach Compliance Code	unknow	unknow
其他特性	LOW NOISE	LOW NOISE
外壳连接	SOURCE	SOURCE
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大漏极电流 (Abs) (ID)	0.055 A	0.055 A
最大漏极电流 (ID)	0.055 A	0.055 A
FET 技术	METAL SEMICONDUCTOR	METAL SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	0.04 pF	0.04 pF
最高频带	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4
JESD-609代码	e0	e0
元件数量	1	1
端子数量	4	4
工作模式	DUAL GATE, DEPLETION MODE	DUAL GATE, DEPLETION MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
功耗环境最大值	0.15 W	0.15 W
最小功率增益 (Gp)	17 dB	17 dB
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	GALLIUM ARSENIDE	GALLIUM ARSENIDE

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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