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NS6A51AFT3G

产品描述600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小67KB,共6页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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NS6A51AFT3G概述

600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE

600 W, 单向, 硅, 瞬态抑制二极管

NS6A51AFT3G规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
最大击穿电压14.7 V
最小击穿电压13.3 V
加工封装描述LEAD FREE, PLASTIC, SMA-FL, 2 PIN
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式FLAT
端子涂层MATTE TIN
端子位置DUAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
工艺AVALANCHE
结构SINGLE
二极管元件材料SILICON
最大功耗极限1.5 W
极性UNIDIRECTIONAL
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
关闭电压12 V
最大非重复峰值转速功率600 W
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