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UF1G

产品描述1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AA
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小183KB,共5页
制造商CDIL
官网地址http://www.cdilsemi.com
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UF1G概述

1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AA

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Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
SURFACE MOUNT ULTRAFAST RECTIFIER
UF1A - UF1K
DO-214AA (SMB)
Surface Mount Package
Polarity : Colour band denotes cathode end
Ultrafast Recovery Times for High Efficiency
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25ºC Ambient Temperature unless specified otherwise. Single Phase, half wave 60 Hz, Resistive or
Inductive Load. For Capacitive Load, Derate Current by 20%
DESCRIPTION
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
0.375"(9.5mm) Lead Length at T
L
=100
o
C
Peak Forward Surge Current 8.3ms
single half sine-wave superimposed on
rated load
Maximum Forward Voltage at I
F
=1.0A
Maximum DC Reverse Current T
a
=25 C
at Rated DC Blocking Voltage
Typical Junction Capacitance
T
a
=100 C
o
o
SYMBOL UF1A UF1B UF1D UF1G UF1J UF1K
V
RRM
50
100
200
400
600 800
V
RMS
35
70
140
280
420 560
V
DC
50
100
200
400
600 800
I
(AV)
1.0
UNIT
V
V
V
A
I
FSM
V
F
I
R
**c
j
***R
th (J-L)
*T
RR
T
j,
T
stg
50
1.0
30
1.4
10
100
17
30
100
1.7
A
V
µA
µA
pF
ºC/W
ns
ºC
Typical Thermal Resistance Junction to Lead
Maximum Reverse Recovery Time
Operating Junction and Storage Temperature
Range
- 50 to +150
*Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A
**Measuired at 1 MHz and Applied V
R
=4V
***8.0mm
2
(0.013mm thick) Land Areas
UF1A_1KRev180705E
Continental Device India Limited
Data Sheet
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描述 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AA 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AA 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AA 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AA 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AA
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