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SI4412DY

产品描述7000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小216KB,共3页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
标准
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SI4412DY概述

7000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

SI4412DY规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Fairchild
零件包装代码SOT
包装说明SOIC-8
针数8
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)7 A
最大漏极电流 (ID)7 A
最大漏源导通电阻0.028 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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Si4412DY
June 1999
Si4412DY*
Single N-Channel Logic Level PowerTrench
®
MOSFET
General Description
This N-Channel Logic Level MOSFET is produced using
Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process
that has been especially tailored to minimize on-state
resistance and yet maintain superior switching
performance.
This device is well suited for low voltage and battery
powered applications where low in-line power loss and
fast switching are required.
Features
•
•
•
•
•
7 A, 30 V. R
DS(ON)
= 0.028
@ V
GS
= 10 V
R
DS(ON)
= 0.042
@ V
GS
= 4.5 V
Low gate charge.
Fast switching speed.
High performance trench technology for extremely
low R
DS(ON)
.
High power and current handling capability.
Applications
•
•
•
Battery switch
Load switch
Motor controls
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©1999
Fairchild Semiconductor Corporation
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