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SBM3060UCT

产品描述肖特基二极管
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小51KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SBM3060UCT概述

肖特基二极管

功能特点

产品名称:肖特基二极管


产品型号:SBM3060UCT


参数:


重复反向电压峰值Vrrm:60V


最大平均整流电流Io:30A


最大前向浪涌电流I FSM:250A


正向压降VF:0.33/0.41/0.51V 当IF=3/7.5/15A时


最大反馈电流IR:500uA 当VR=60V


封装:TO-220AB


SBM3060UCT规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明R-PSFM-T3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.56 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流250 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流15 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压60 V
最大反向电流500 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

SBM3060UCT文档预览

下载PDF文档
SBM3060UCT
LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives
60 Volts
CURRENT
30 Amperes
0.419(10.66)
0.387(9.85)
0.139(3.55)
MIN.
0.196(5.00)
0.163(4.16)
0.054(1.39)
0.045(1.15)
0.624(15.87)
MECHANICAL DATA
0.177(4.5)
0.548(13.93)
Case : TO-220AB, Plastic
Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Weight: 0.065 ounces, 1.859 grams.
0.058(1.47)
0.042(1.07)
0.038(0.96)
0.019(0.50)
0.50(12.7)MIN.
0.115(2.92)
0.080(2.03)
0.025(0.65)MAX.
0.100(2.54)
0.100(2.54)
MAXIMUM RATINGS(T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Typical thermal resistance per diode
Operating junction temperature range
Storage temperature range
per diode
per device
per diode
(Note 1)
SYMBOL
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
R
Θ
JC
T
J
T
STG
VALUE
60
15
30
250
2
-55 to + 150
-55 to + 150
o
MAX.
UNIT
V
A
A
C/W
o
C
C
o
Note : 1. Mounted on infinite heatsink.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
PARAMETER
Breakdown voltage per diode
SYMBOL
V
BR
TEST CONDITIONS
I
R
=1mA
I
F
=3A
I
F
=7.5A
I
F
=15A
I
F
=3A
I
F
=7.5A
I
F
=15A
V
R
=48V
Reverse current per diode
I
R
V
R
=60V
T
J
=25
o
C
T
J
=125
o
C
T
J
=25
o
C
MIN.
60
-
-
-
-
-
-
-
-
-
TYP.
-
0.33
0.41
0.51
0.25
0.37
0.51
100
0.15
26
MAX.
-
-
-
0.56
-
-
-
-
0.5
-
UNIT
V
V
Instantaneous forward voltage per diode
V
F
T
J
=125
o
C
V
μA
mA
mA
March 21,2012-REV.00
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