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SBE813

产品描述3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小339KB,共6页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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SBE813概述

3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

SBE813规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大正向电压 (VF)0.485 V
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向电流42 µA
最大反向恢复时间0.02 µs
反向测试电压15 V
表面贴装YES
Base Number Matches1

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Ordering number : EN8967A
SBE813
Schottky Barrier Diode
30V, 3A, Low IR, Non-Monolithic Dual VEC8 Common Cathode
Applications
http://onsemi.com
High frequency rectification (switching regulators, converters, choppers)
Features
Small switching noise
Low leakage current and high reliability due to highly reliable planar structure
Ultrasmall package permitting applied sets to be small and slim
Specifications
Absolute Maximum Ratings
at Ta=25°C
Parameter
Repetitive Peak Reverse Voltage
Nonrepetitive Peak Reverse Surge Voltage
Average Output Current
Surge Forward Current
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
VRRM
VRSM
I
O
I
FSM
Tj
Tstg
50Hz sine wave, 1 cycle
Conditions
Ratings
30
35
3.0
20
-
-55 to +125
-
-55 to +125
Unit
V
V
A
A
°C
°C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating
Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7012-001
0.25
0.3
8
7
6 5
0.15
Product & Package Information
• Package
: VEC8
• JEITA, JEDEC
:-
• Minimum Packing Quantity : 3,000 pcs./reel
SBE813-TL-E
Packing Type : TL
Marking
2.8
2.3
SE
1
2
2.9
0.75
3
0.65
4
TL
LOT No.
0.25
1 : Anode1
2 : No Contact
3 : Anode2
4 : No Contact
5 : Cathode2
6 : Cathode2
7 : Cathode1
8 : Cathode1
VEC8
Electrical Connection
8
7
6
5
0.07
1
2
3
4
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013
September, 2013
90512 TKIM/32406SB MSIM TB-00002132 No.8967-1/6

 
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