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SBE812

产品描述1 A, 60 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小311KB,共6页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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SBE812概述

1 A, 60 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE

SBE812规格参数

参数名称属性值
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
Reach Compliance Codecompli
最大正向电压 (VF)0.6 V
元件数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
最大重复峰值反向电压60 V
最大反向电流30 µA
最大反向恢复时间0.01 µs
反向测试电压30 V
表面贴装YES

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Ordering number : EN8966A
SBE812
Schottky Barrier Diode
60V, 1A, Low IR, Non-Monolithic Dual VEC8 Common Cathode
Applications
http://onsemi.com
High frequency rectification (switching regulators, converters, choppers)
Features
Small switching noise
Low leakage current and high reliability due to highly reliable planar structure
Ultrasmall package allows applied sets to be made small and thin
Specifications
Absolute Maximum Ratings
at Ta=25°C (Value per element)
Parameter
Repetitive Peak Reverse Voltage
Nonrepetitive Peak Reverse Surge Voltage
Average Output Current
Surge Forward Current
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
VRRM
VRSM
I
O
I
FSM
Tj
Tstg
50Hz sine wave, 1 cycle
Conditions
Ratings
60
65
1.0
10
-
-55 to +125
-
-55 to +125
Unit
V
V
A
A
°C
°C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating
Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7012-001
0.25
0.3
8
7
6 5
0.15
Product & Package Information
• Package
: VEC8
• JEITA, JEDEC
:-
• Minimum Packing Quantity : 3,000 pcs./reel
SBE812-TL-E
Packing Type : TL
Marking
SA
1
2
2.9
0.75
3
0.65
4
TL
2.8
2.3
LOT No.
0.25
1 : Anode1
2 : No Contact
3 : Anode2
4 : No Contact
5 : Cathode2
6 : Cathode2
7 : Cathode1
8 : Cathode1
VEC8
Electrical Connection
8
7
6
5
0.07
1
2
3
4
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013
September, 2013
91912 TKIM/D2605SB MSIM TB-00002015 No.8966-1/6

 
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