电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

PZT5551L3

产品描述General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor
文件大小207KB,共6页
制造商CYSTEKEC
官网地址http://www.cystekec.com/
下载文档 全文预览

PZT5551L3概述

General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor

文档预览

下载PDF文档
CYStech Electronics Corp.
General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor
Spec. No. : C208L3
Issued Date : 2004.09.21
Revised Date : 2008.07.04
Page No. : 1/5
PZT5551L3
Description
The
PZT5551L3
is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltage.
Features
High collector-emitter breakdown voltage. (BV
CEO
=160V @ I
C
=1mA)
Complement to
BTA1514L3
Pb-free package
Symbol
PZT5551L3
Outline
SOT-223
B:Base
C:Collector
E:Emitter
B C E
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Power Dissipation@T
C
=25℃
Junction Temperature
Storage Temperature
PZT5551L3
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Pd
Tj
Tstg
Limits
180
160
6
600
5
150
-55~+150
Unit
V
V
V
mA
W
°C
°C
CYStek Product Specification

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2368  247  77  2848  1312  6  58  4  47  23 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved