K4H510838G-LLB3T,K4H510838G-LLB3T pdf中文资料,K4H510838G-LLB3T引脚图,K4H510838G-LLB3T电路-Datasheet-电子工程世界

K4H510838G-LLB3T: 产品描述DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66,; 产品类别存储存储; 文件大小350KB，共24页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/; 标准

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K4H510838G-LLB3T概述

DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66,

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
Objectid	1125504991
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	0.7 ns
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G66
JESD-609代码	e6
内存密度	536870912 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	8
湿度敏感等级	3
端子数量	66
字数	67108864 words
字数代码	64000000
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	64MX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP
封装等效代码	TSSOP66,.46
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	2.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
连续突发长度	2,4,8
最大待机电流	0.005 A
最大压摆率	0.22 mA
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Bismuth (Sn97Bi3)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.635 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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