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SI9430DY

产品描述POWER, FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小343KB,共6页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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SI9430DY概述

POWER, FET

SI9430DY规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Fairchild
零件包装代码SOT
包装说明SOIC-8
针数8
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)5.8 A
最大漏极电流 (ID)5.8 A
最大漏源导通电阻0.05 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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Si9430DY
June 1999
DISTRIBUTION GROUP*
Si9430DY
Single P-Channel Enhancement Mode MOSFET
General Description
This P-Channel Enhancement Mode MOSFET is produced
using Fairchild Semiconductor's advance process that
has been especially tailored to minimize on-state
resistance and yet maintain superior switching
performance.
This device is well suited for low voltage and battery
powered applications where low in-line power loss
and fast switching are required.
Features
•
•
•
•
-5.8 A, -20 V. R
DS(on)
=
0.050 Ω
@ V
GS
= -10 V
R
DS(on)
=
0.090 Ω
@ V
GS
= -4.5 V.
Low gate charge.
Fast switching speed.
High power and current handling capability.
Applications
•
•
•
Battery switch
Load switch
Motor controls
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©1999
Fairchild Semiconductor Corporation
Si9430DY Rev. A

 
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