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SI9945DY

产品描述POWER, FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小191KB,共3页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
标准
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SI9945DY概述

POWER, FET

SI9945DY规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Fairchild
零件包装代码SOT
包装说明SOIC-8
针数8
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性FAST SWITCHING
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3.3 A
最大漏极电流 (ID)3.3 A
最大漏源导通电阻0.1 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)10 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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Si9945DY
June 1999
Si9945DY*
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
General Description
These N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are
produced using Fairchild Semiconductor's advance
process that has been especially tailored to minimize
on-state resistance and yet maintain superior switching
performance.
These devices are well suited for low voltage and
battery powered applications where low in-line power
loss and fast switching are required.
Features
•
•
•
•
3.3 A, 60 V. R
DS(ON)
= 0.100
@ V
GS
= 10 V
R
DS(ON)
= 0.200
@ V
GS
= 4.5 V
Low gate charge.
Fast switching speed.
High power and current handling capability.
Applications
•
Battery switch
•
Load switch
•
Motor controls
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©1999
Fairchild Semiconductor Corporation
Si9945DY Rev. A

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