P-Channel Power MOSFET
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | ON Semiconduc |
是否无铅 | 不含铅 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
制造商包装代码 | 318BD |
Reach Compliance Code | _compli |
Factory Lead Time | 1 week |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 60 V |
最大漏极电流 (ID) | 3 A |
最大漏源导通电阻 | 0.1 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 |
JESD-609代码 | e6 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 6 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 1.9 W |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin/Bismuth (Sn/Bi) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
NVC6S5A354PLZT1G | NVC6S5A354PLZ | |
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描述 | P-Channel Power MOSFET | P-Channel Power MOSFET |
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