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BTD4M

产品描述DIAC, 37V V(BO) Max, DO-35, DHD, 2 PIN
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小45KB,共2页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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BTD4M概述

DIAC, 37V V(BO) Max, DO-35, DHD, 2 PIN

BTD4M规格参数

参数名称属性值
Objectid1481156070
零件包装代码DO-35
包装说明LONG FORM, O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大转折电压37 V
最小转折电压29 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
最大维持电流0.05 mA
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-PALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
重复峰值反向电压3 V
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
触发设备类型DIAC

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Ordering number :EN821C
BTD4M
Silicon Planar Type
Bidirectional Diode
Features
· Small size and light weight.
· DHD type package.
Package Dimensions
unit:mm
1107
[BTD4M]
Specifications
Absolute Maximum Ratings
at Ta = 25˚C
Parameter
Peak Current
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
IP
Tj
Tstg
Conditions
f=120Hz, pulse width 10µs
Rationgs
±2
–40 to +125
–40 to +125
Unit
A
˚C
˚C
Electrical Characteristics
at Ta = 25˚C
Parameter
Breakover Voltage
Breakover Voltage Deviation
Breakover Current
Temperature Coefficient of Breakover Voltage
Peak Output Voltage
VP
5
Symbol
VBO1(VBO2)
∆V
BO |VBO1–VBO2|
IBO1(IBO2)
0.1
Conditions
Ratings
min
29
typ
max
37
3
50
Unit
V
V
µA
%/˚C
V
Basic Circuit
Basic Characteristic
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquarters
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN
52098HA (KT)/4289MO/9284KI, TS No.821-1/2

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描述 DIAC, 37V V(BO) Max, DO-35, DHD, 2 PIN Bidirectional Diode

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