MTD20P03HDL,MTD20P03HDL pdf中文资料,MTD20P03HDL引脚图,MTD20P03HDL电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> MTD20P03HDL

MTD20P03HDL: 产品描述POWER, FET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小187KB，共12页; 制造商ON Semiconductor(安森美); 官网地址http://www.onsemi.cn

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MTD20P03HDL概述

POWER, FET

POWER, 场效应晶体管

MTD20P03HDL规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	ON Semiconductor(安森美)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	3
制造商包装代码	CASE 369C-01
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	EAR99
其他特性	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）	200 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	19 A
最大漏极电流 (ID)	19 A
最大漏源导通电阻	0.099 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e0
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	240
极性/信道类型	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	74 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	57 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

MTD20P03HDL相似产品对比

	MTD20P03HDL	MTD20P03HDL1	MTD20P03HDL1G	MTD20P03HDLG	MTD20P03HDLT4	MTD20P03HDLT4G
描述	POWER, FET	POWER, FET	POWER, FET	POWER, FET	19 A, 30 V, 0.099 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET	POWER, FET
是否Rohs认证	不符合	不符合	符合	符合	不符合	符合
厂商名称	ON Semiconductor(安森美)	ON Semiconductor(安森美)	ON Semiconductor(安森美)	ON Semiconductor(安森美)	ON Semiconductor(安森美)	ON Semiconductor(安森美)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	CASE 369D-01, DPAK-3	LEAD FREE, CASE 369D-01, DPAK-3	LEAD FREE, CASE 369C-01, DPAK-3	CASE 369C-01, DPAK-3	LEAD FREE, CASE 369C-01, DPAK-3
针数	3	3	3	3	3	3
制造商包装代码	CASE 369C-01	CASE 369D-01	CASE 369D-01	CASE 369C-01	CASE 369C-01	CASE 369C-01
Reach Compliance Code	_compli	_compli	_compli	_compli	_compli	_compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	AVALANCHE RATED	AVALANCHE RATED	AVALANCHE RATED	AVALANCHE RATED	AVALANCHE RATED	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）	200 mJ	200 mJ	200 mJ	200 mJ	200 mJ	200 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V	30 V	30 V	30 V	30 V	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	19 A	19 A	19 A	19 A	19 A	19 A
最大漏极电流 (ID)	19 A	19 A	19 A	19 A	19 A	19 A
最大漏源导通电阻	0.099 Ω	0.099 Ω	0.099 Ω	0.099 Ω	0.099 Ω	0.099 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSIP-T3	R-PSIP-T3	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e0	e0	e3	e3	e0	e3
湿度敏感等级	1	1	1	1	1	1
元件数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	2	3	3	2	2	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	IN-LINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	240	NOT SPECIFIED	260	260	240	260
极性/信道类型	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	74 W	1.75 W	1.75 W	74 W	74 W	74 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	57 A	57 A	57 A	57 A	57 A	57 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	NO	NO	YES	YES	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin (Sn)	Tin (Sn)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin (Sn)
端子形式	GULL WING	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30	NOT SPECIFIED	40	40	30	40
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON

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