MMDJ3P03BJT
Plastic Power Transistors
SO−8 for Surface Mount Applications
•
Collector
−Emitter
Sustaining Voltage —
V
CEO(sus)
= 30 Vdc (Min) @ I
C
= 10 mAdc
•
High DC Current Gain —
http://onsemi.com
h
FE
= 125 (Min) @ I
C
= 0.8 Adc
= 90 (Min) @ I
C
= 3.0 Adc
•
Low Collector
−Emitter
Saturation Voltage —
V
CE(sat)
= 0.24 Vdc (Max) @ I
C
= 1.2 Adc
= 0.55 Vdc (Max) @ I
C
= 3.0 Adc
•
Miniature SO−8 Surface Mount Package
−
Saves Board Space
DUAL BIPOLAR
POWER TRANSISTOR
PNP SILICON
30 VOLTS, 3 AMPERES
(SO−8)
CASE 751−07
Style 16
Emitter−1
Base−1
Emitter−2
Base−2
1
2
3
4
8
7
6
5
Collector−1
Collector−1
Collector−2
Collector−2
Top View
Pinout
E
B
E
B
C
C
Schematic
Preferred
devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006
August, 2006
−
Rev. 5
1
Publication Order Number:
MMDJ3P03BJT/D
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î ÎÎÎÎ Î Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
MAXIMUM RATINGS
(T
C
= 25°C unless otherwise noted)
Maximum Temperature for Soldering
Total Power Dissipation @ T
A
= 25_C mounted on 1″ sq. (645 sq. mm)
Collector pad on FR−4 board material with one die operating.
Derate above 25_C
Thermal Resistance
−
Junction to Ambient on 1″ sq. (645 sq. mm)
Collector pad on FR−4 board material with one die operating.
Thermal Resistance
−
Junction to Ambient on 0.012″ sq. (7.6 sq. mm)
Collector pad on FR−4 board material with one die operating.
Operating and Storage Junction Temperature Range
Base Current — Continuous
Collector Current — Continuous
Collector Current
— Peak
Emitter−Base Voltage
Collector−Emitter Voltage
Collector−Base Voltage
Characteristic
Rating
http://onsemi.com
MMDJ3P03BJT
2
Symbol
Symbol
T
J
, T
stg
V
CEO
R
θJA
V
CB
V
EB
P
D
T
L
I
C
I
B
– 55 to + 150
Value
±
6.0
1.25
10
Max
185
100
1.0
3.0
5.0
30
45
260
Watts
mW/_C
_C/W
Unit
Unit
Adc
Adc
Vdc
Vdc
Vdc
_C
_C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎ Î Î Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎ Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
(1) Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μs,
Duty Cycle
≤
2%.
(2) f
T
= |h
FE
|
S
f
test
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS
(1)
OFF CHARACTERISTICS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25_C unless otherwise noted)
Current−Gain — Bandwidth Product
(2)
(I
C
= 500 mA, V
CE
= 10 V, F
test
= 1.0 MHz)
Input Capacitance
(V
EB
= 8.0 Vdc)
Output Capacitance
(V
CB
= 10 Vdc, I
E
= 0 Adc, f = 1.0 MHz)
DC Current Gain
(I
C
= 0.8 Adc, V
CE
= 1.0 Vdc)
(I
C
= 1.2 Adc, V
CE
= 1.0 Vdc)
(I
C
= 3.0 Adc, V
CE
= 1.0 Vdc)
Base−Emitter On Voltage
(I
C
= 1.2 Adc, V
CE
= 4.0 Vdc)
Base−Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 3.0 Adc, I
B
= 0.3 Adc)
Collector−Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 0.8 Adc, I
B
= 20 mAdc)
(I
C
= 1.2 Adc, I
B
= 20 mAdc)
(I
C
= 3.0 Adc, I
B
= 0.3 Adc)
Emitter Cutoff Current
(V
BE
= 5.0 Vdc)
Collector Cutoff Current
(V
CE
= 25 Vdc, R
BE
= 200
W)
(V
CE
= 25 Vdc, R
BE
= 200
W,
T
J
= 125°C)
Emitter−Base Voltage
(I
E
= 50
mAdc,
I
C
= 0 Adc)
Collector−Emitter Sustaining Voltage
(I
C
= 10 mAdc, I
B
= 0 Adc)
Characteristic
http://onsemi.com
MMDJ3P03BJT
3
V
CEO(sus)
Symbol
V
CE(sat)
V
BE(sat)
V
BE(on)
V
EBO
I
EBO
I
CER
C
ob
h
FE
C
ib
f
T
Min
125
110
90
6.0
30
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.15
—
—
Typ
135
100
260
—
—
—
—
—
—
—
—
—
110
1.10
1.25
0.21
0.24
0.55
Max
20
200
150
10
—
—
—
—
—
—
—
μAdc
μAdc
MHz
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
pF
pF
—
MMDJ3P03BJT
VCE(sat) , COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (V)
1.00
VCE(sat), COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (V)
0.25
I
C
= 1.2 A
0.75
I
C
= 3.0 A
0.50
1.2 A
0.8 A
0.5 A
0.125
0.25
0.5 A
0
0.25 A
1.0
0.8 A
0.25 A
0
1.0
10
100
1000
I
B
, BASE CURRENT (mA)
10
100
1000
I
B
, BASE CURRENT (mA)
Figure 1. Collector Saturation Region
Figure 2. Collector Saturation Region
1000
1000
150°C
HFE, DC CURRENT GAIN
HFE, DC CURRENT GAIN
150°C
25°C
100
−55
°C
100
25°C
−55
°C
V
CE
= 1.0 V
10
0.1
1.0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
10
10
0.1
V
CE
= 4.0 V
1.0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
10
Figure 3. DC Current Gain
Figure 4. DC Current Gain
10
I
C
/I
B
= 10
1.0
V
BE(sat)
V, VOLTAGE (V)
V
BE(sat)
V, VOLTAGE (V)
1.0
0.1
V
CE(sat)
0.1
V
CE(sat)
I
C
/I
B
= 50
0.01
0.1
1.0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
10
0.01
0.1
1.0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
10
Figure 5. “On” Voltages
Figure 6. “On” Voltages
http://onsemi.com
4
MMDJ3P03BJT
1.2
−55
°C
V, VOLTAGE (V)
0.8
C, CAPACITANCE (pF)
1000
25°C
150°C
100
C
ob
0.4
V
CE
= 4.0 V
0
0.1
1.0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
10
10
0.1
1.0
10
100
V
R
, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 7. V
BE(on)
Voltage
Figure 8. Output Capacitance
f t , CURRENT−GAIN BANDWIDTH PRODUCT
1000
IC , COLLECTOR CURRENT (A)
V
CE
= 10 V
f
test
= 1.0 MHz
T
A
= 25°C
10
0.5 ms
1.0
5.0 ms
100 ms
0.1
100
0.01
BONDING WIRE LIMIT
THERMAL LIMIT (SINGLE PULSE)
SECONDARY BREAKDOWN LIMIT
0.1
1.0
10
100
10
0.1
1.0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
10
0.001
V
CE
, COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (V)
Figure 9. Current−Gain Bandwidth Product
Figure 10. Active Region Safe Operating Area
2.0
PD, POWER DISSIPATION (W)
1.5
1.0
T
A
0.5
There are two limitations on the power handling ability of
a transistor: average junction temperature and secondary
breakdown. Safe operating area curves indicate I
C
−
V
CE
limits of the transistor that must be observed for reliable
operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
dissipation than the curves indicate.
The data of Figure 10 is based on T
J(pk)
= 150_C; T
C
is
variable depending on conditions. Secondary breakdown
pulse limits are valid for duty cycles to 10% provided T
J(pk)
v
150_C. T
J(pk)
may be calculated from the data in
Figure 12. At high case temperatures, thermal limitations
will reduce the power that can be handled to values less than
the limitations imposed by secondary breakdown.
75
100
125
150
0
25
50
T, TEMPERATURE (°C)
Figure 11. Power Derating
http://onsemi.com
5
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
