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MMBT5401

产品描述600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小150KB,共3页
制造商MAKO
官网地址http://www.makosemi.hk
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MMBT5401概述

600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

600 mA, 150 V, PNP, 硅, 小信号晶体管

MMBT5401规格参数

参数名称属性值
端子数量3
晶体管极性PNP
最大集电极电流0.6000 A
最大集电极发射极电压150 V
加工封装描述SOT-23, 3 PIN
无铅Yes
状态ACTIVE
包装形状矩形的
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子涂层MATTE 锡
端子位置
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的
元件数量1
晶体管应用开关
晶体管元件材料
最大环境功耗0.3500 W
晶体管类型通用小信号
最小直流放大倍数50
额定交叉频率100 MHz

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Plastic-Encapsulate Transistors
FEATURES
Complementary to MMBT5551
Ideal for medium power amplification and switching
MMBT5401
(PNP)
MARKING
:
2L
MAXIMUM RATINGS (TA=25
unless otherwise noted)
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current -Continuous
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Value
-160
-150
-5
-0.6
0.3
150
-55 to +150
Unit
V
V
V
A
W
1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTO
SOT-23
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
P
C
T
J
Tstg
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25
unless otherwise specified)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
ICB
O
IEB
O
hFE1
Test
conditions
IE=0
IB=0
Min
-160
-150
-5
Max
Unit
V
V
V
IC= -100μA,
IC= -1mA,
IE= -10μA, IC=0
VCB=-120 V ,
VEB=-4V ,
VCE= -5V,
VCE= -5V,
VCE= -5V,
IC=-50 mA,
IC= -50 mA,
-5mA
VCE= -5V,
-10mA
f=30MHz
IC=0
IC= -1mA
IC=-10mA
IC=-50mA
IB= -5mA
IB=
IC=
IE=0
-0.1
-0.1
80
100
50
-0.5
-1
100
300
μA
μA
DC current gain
hFE2
hFE3
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Transition frequency
VCE(sat)
VBE(sat)
fT
V
V
MHz
MAKO Semiconductor Co., Limited
4008-378-873
http://www.makosemi.hk/
Page:P2-P1

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