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MH4V7245CWJ-6: 产品描述EDO DRAM Module, 4MX72, 60ns, CMOS, PDMA168; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共22页; 制造商Mitsubishi(日本三菱); 官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/

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MH4V7245CWJ-6概述

EDO DRAM Module, 4MX72, 60ns, CMOS, PDMA168

	MH4V7245CWJ-6	MH4V7245CWJ-7
描述	EDO DRAM Module, 4MX72, 60ns, CMOS, PDMA168	EDO DRAM Module, 4MX72, 70ns, CMOS, PDMA168
Objectid	1516459916	1516456206
包装说明	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
最长访问时间	60 ns	70 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDMA-N168	R-PDMA-N168
内存密度	301989888 bit	301989888 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE
内存宽度	72	72
端子数量	168	168
字数	4194304 words	4194304 words
字数代码	4000000	4000000
最高工作温度	70 °C	70 °C
组织	4MX72	4MX72
输出特性	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM168	DIMM168
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096
自我刷新	NO	NO
最大待机电流	0.009 A	0.009 A
最大压摆率	2.07 mA	1.62 mA
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO
技术	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ