DirectFETPower MOSFET
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | International Rectifier （ Infineon ） |
| 包装说明 | ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-2 |
| 针数 | 2 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 13 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 12 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.0091 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-XBCC-N2 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 96 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Silver/Nickel (Ag/Ni) |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
| IRF6621TRPbF | IRF6621PbF | IRF6621PBF_15 | IRF6621TR1PBF | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | DirectFETPower MOSFET | DirectFETPower MOSFET | Ideal for CPU Core DC-DC Converters | DirectFETPower MOSFET |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | - | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | - | 符合 |
| 厂商名称 | International Rectifier （ Infineon ） | International Rectifier （ Infineon ） | - | International Rectifier （ Infineon ） |
| 包装说明 | ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-2 | ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-3 | - | ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-3 |
| 针数 | 2 | 3 | - | 3 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | - | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 13 mJ | 13 mJ | - | 13 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN | DRAIN | - | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 30 V | 30 V | - | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 12 A | 12 A | - | 12 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.0091 Ω | 0.0091 Ω | - | 0.0091 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-XBCC-N2 | R-XBCC-N3 | - | R-XBCC-N3 |
| JESD-609代码 | e4 | e4 | - | e4 |
| 湿度敏感等级 | 3 | 3 | - | 3 |
| 元件数量 | 1 | 1 | - | 1 |
| 端子数量 | 2 | 3 | - | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | - | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | - | 150 °C |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | - | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | - | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 | - | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | - | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 96 A | 96 A | - | 96 A |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | YES | - | YES |
| 端子面层 | Silver/Nickel (Ag/Ni) | Silver/Nickel (Ag/Ni) | - | Silver/Nickel (Ag/Ni) |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD | - | NO LEAD |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | - | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 | - | 30 |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | - | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | - | SILICON |
| Base Number Matches | 1 | 1 | - | 1 |
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