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GBU606

产品描述6 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小144KB,共4页
制造商ETC2
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GBU606概述

6 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

6 A, 800 V, 硅, 桥式整流二极管

GBU606规格参数

参数名称属性值
端子数量4
元件数量4
最小击穿电压800 V
最大平均输入电流6 A
加工封装描述绿色, 塑料, GBU, 4 PIN
状态ACTIVE
包装形状矩形的
包装尺寸凸缘安装
端子形式THROUGH-孔
端子涂层PURE 锡
端子位置单一的
包装材料塑料/环氧树脂
结构桥, 4 ELEMENTS
壳体连接隔离
二极管元件材料
二极管类型桥式整流二极管
相数1
最大重复峰值反向电压800 V
最大非重复峰值正向电流175 A

GBU606相似产品对比

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描述 6 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 2.8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 2.8 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER,1-PHASE FULL-WAVE,800V V(RRM),BR-7W 2.8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
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